Транзистор MOSFET N-канальный TK6A60D 600V 6A мощный компонент

Транзистор полевой MOSFET N-канальный TK6A60D (STA4, Q, M) изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Этот мощный компонент способен выдерживать напряжение до 600 В и ток до 6 А, что делает его идеальным выбором для различных электронных схем и устройств. Благодаря высокой мощностью 40 Вт, он дает надежную работу при высокой нагрузке. Транзистор имеет корпус TO-220SIS (SC-67), что облегчает монтаж через отверстия и дает хорошее теплоотведение. Основные преимущества этого MOSFET включают низкое сопротивление открытого канала 1. 25 Ом и высокое пороговое напряжение включения, достигающее 4 В. Это помогает повысить эффективность и стабильность работы схем. Заряд затвора составляет 16 нКл, а входная емкость - 800 пФ, что важно для контроля быстродействия и потребляемой мощности. Такой транзистор отлично подходит для силовых преобразователей, усилителей и других электронных устройств, требующих надежных и долговечных компонентов.