НаименованиеFDS8880
ПроизводительON Semiconductor
Описание EngMOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка2500 шт
КорпусSOIC8N
Напряжение сток-исток макс.30В
Ток стока макс.11.6A
Сопротивление открытого канала10 мОм
Мощность макс.2.5Вт
Тип транзистораN-канал
ОсобенностиLogic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.2.5В
Заряд затвора30нКл
Входная емкость1235пФ
Тип монтажаSurface Mount
Вес брутто0.22 г.
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока11.6 A
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности2.5 W
Ширина4мм
Высота2мм
Размеры5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС1
Длина5мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения7 нс
Типичное время задержки выключения38 нс
СерияPowerTrench
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток10 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов8
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs23 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1235 пФ при 15 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г0.15
