MOSFET IRFB3507PBF N-канальный транзистор 75В 97А 190Вт инфина

8░░░
Цена на 22.05.2026
История цены
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 22.05.2026
8░░░
История цены

Полевой MOSFET IRFB3507PBF от Infineon Technologies - это высокопроизводительный транзистор, предназначенный для эффективных силовых электронных устройств. Он обладает высоким напряжением сток-исток до 75В, током стока до 97А и мощностью до 190Вт, что позволяет использовать его в различных промышленных и бытовых схемах. Благодаря корпусу TO-220 Isolated Tab транзистор легко монтируется и дает надежное теплоотведение, что увеличивает его долговечность и стабильность работы. Этот N-канальный транзистор идеально подходит для систем управления мощностью, импульсных преобразователей и источников питания. Его низкое сопротивление открытого канала 8. 8 мОм дает низкие потери энергии и высокую эффективность работы устройства. Эксплуатационные характеристики, такие как пороговое напряжение включения до 4В и заряд затвора 130 нКл, делают его удобным в использовании и управлении, а также позволяют применять в различных схемах автоматики и силовой электроники.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
66308
Производитель
Infineon Technologies
Корпус
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс
75В
Ток стока макс
97A
Сопротивление открытого канала
8.8 мОм
Мощность макс
190Вт
MOSFET
Поле транзистор с металлическо-оксидным полем
Пороговое напряжение
Напряжение, при котором транзистор начинает Conduct
Высокая мощность и надежность, низкое сопротивление, простота монтажа
Требуется правильное управление для оптимальной работы, чувствителен к перегреву
Этот транзистор подходит для мощных источников питания, импульсных преобразователей, LED-драйверов и автоматической электроники, где требуется высокий ток и напряжение.
Транзистор монтируется посредством отверстий типа Through Hole на плату с соблюдением правил теплоотведения и электрической изоляции корпуса.
Этот корпус обеспечивает хорошее теплоотведение и изоляцию, что способствует долгой и стабильной работе транзистора при высоких нагрузках.
Да, благодаря своим характеристикам, таким как быстрое включение и низкое сопротивление канала, он отлично подходит для импульсных схем.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.