Биполярный транзистор IGBT IHW40N120R5XKSA1, 1200 В, 80 А

Биполярный транзистор IGBT IHW40N120R5XKSA1 - это высокопроизводительный компонент, предлагаемый компанией Infineon Technologies. Устойчивый к высоким напряжениям и токам, этот транзистор имеет максимально допустимое напряжение 1200 В и ток 80 А, что делает его идеальным выбором для применения в силовой электронике и преобразователях энергии. Ваша система станет более эффективной с использованием этого устройства, так как оно дает высокую надежность и долговечность. Его мощность составляет 394 Вт, что также способствует его высокой производительности и широкому спектру применения. Транзистор поставляется в упаковке типа Tube и является частью нормируемой упаковки из 30 штук, что позволяет удобно планировать заказы и запасы.