Транзистор полевой MOSFET N-канальный SIHB25N50E-GE3 500В 26A
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SIHB25N50E-GE3 разработан для работы с высоковольтными приложениями. Он способен выдерживать напряжение до 500 В и ток до 26 А. Этот компонент идеально подходит для использования в силовой электронике, где требуется высокая эффективность и надежность. С низким сопротивлением в открытом состоянии, транзистор обеспечивает отличную производительность, что делает его идеальным выбором для различных приложений, включая системы управления и преобразования энергии.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая эффективность и надежность в работе, возможность работы с высокими напряжениями и токами.
Может потребовать дополнительных схем для защиты в случае перегрева или перегрузки.