Кондуктометр Многофункциональный тестер транзисторов LCR-P1 для определения емкости и сопротивления МОП-полевых транзисторов с электронным компонентом
1 803 ₽
Цена на 15.05.2026
Яндекс.МаркетТранзистор полевой MOSFET N-канальный SIHB25N50E-GE3 500В 26A
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
3░░░ ₽
История цены
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 25.05.2026
3░░░ ₽
История цены
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SIHB25N50E-GE3 разработан для работы с высоковольтными приложениями. Он способен выдерживать напряжение до 500 В и ток до 26 А. Этот компонент идеально подходит для использования в силовой электронике, где требуется высокая эффективность и надежность. С низким сопротивлением в открытом состоянии, транзистор обеспечивает отличную производительность, что делает его идеальным выбором для различных приложений, включая системы управления и преобразования энергии.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 825709
- Бренд
- Vishay
- Корпус
- D2PAK-3
- Напряжение
- 500В
- Ток
- 26A
- MOSFET
- Металлооксидный полевой транзистор, тип транзистора с высоким разрешением, используемый для управления большими токами и напряжениями.
Высокая эффективность и надежность в работе, возможность работы с высокими напряжениями и токами.
Может потребовать дополнительных схем для защиты в случае перегрева или перегрузки.
Максимальное напряжение, которое может выдерживать транзистор SIHB25N50E-GE3, составляет 500 В.
Транзистор SIHB25N50E-GE3 поддерживает ток до 26 А.
Транзистор рекомендуется для использования в силовой электронике, включая системы управления и преобразования энергии.
Корпус транзистора SIHB25N50E-GE3 имеет тип D2PAK-3.
MOSFET транзисторы, такие как SIHB25N50E-GE3, обладают высокой эффективностью, низким сопротивлением в открытом состоянии и способны управлять большими токами и напряжениями.