POISK.IMПоиск по интернет-магазинам
Подключить магазин

Высоковольтный N-канальный MOSFET TK20J60U 600В 20А 190Вт для мощных устройств

Превью изображения товара
Изображение товара Высоковольтный N-канальный MOSFET TK20J60U 600В 20А 190Вт для мощных устройств

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

141.92 ₽
Цена на 31.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 31.05.2026
141.92 ₽

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

Транзистор полевой MOSFET TK20J60U отлично подходит для высокоточных и мощных электронных устройств. Этот N-канальный MOSFET имеет максимальное напряжение сток-исток до 600В и способен пропускать ток до 20А, что делает его надежным выбором для силовых цепей. Благодаря высокой мощности 190Вт и низкому сопротивлению открытого канала в 190 мОм, транзистор обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями. Компактный корпус TO-3P облегчает монтаж и обеспечивает хорошую теплоотводимость. Этот MOSFET рекомендуется для использования в различных промышленных и бытовых электронных устройствах, где важна высокая надежность и стабильность работы. Он подходит для силовых преобразователей, импульсных источников питания, преобразователей мощности и других высокотехнологичных систем. Замена TK16J60W и TK16N60W делает его универсальным компонентом для модернизации и ремонта оборудования.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
155322
Производитель
Toshiba Semiconductor
Корпус
TO-3P
Напряжение сток-исток макс
600В
Ток стока макс
20А
Сопротивление открытого канала
190 мОм
Мощность макс
190Вт
MOSFET
Метал-оксидный полевой транзистор
Корпус TO-3P
Тип корпуса для мощных транзисторов, обеспечивает хорошее теплоотведение
Мощность
Максимальная мощность, которую может выдержать транзистор
Высокое напряжение и мощность, надежный корпус TO-3P, эффективная работа при низком сопротивлении канала
Требует теплоотвода при мощной работе, чувствителен к неправильному монтажу
Этот MOSFET идеально подходит для силовых преобразователей, импульсных источников питания и промышленных систем с высокими требованиями к напряжению и току.
Основные преимущества — высокая максимальная напряженность до 600В, способностями пропускать ток до 20А, низкий уровень сопротивления и высокая теплоотводимость благодаря корпусу TO-3P.
Да, его можно использовать в схемах с меньшими требованиями по напряжению, он обеспечит надежную работу и при низких нагрузках.
Рекомендуется обеспечить хороший контакт корпуса для теплоотвода, правильно соблюдать полярность и использовать теплоотвод для повышения надежности работы.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.