Категории:

Биполярный транзистор PNP MJB45H11T4G, корпус D2Pak, 80 В, 10 А

43.26
Цена на 28.04.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 28.04.2026
43.26

Биполярный транзистор MJB45H11T4G является надежным компонентом для различных электронных проектов и устройств. Этот PNP транзистор обладает высоким рабочим напряжением до 80 В и током до 10 А, что делает его идеальным выбором для усилительных схем, коммутационных устройств и источников питания. Благодаря корпусу D2Pak (TO-263) устройство легко монтировать на плату поверхностным способом, обеспечивая хорошую теплопередачу и надежность соединения. Транзистор отличается высоким коэффициентом усиления hFE в 40, что позволяет использовать его в цепях с низким уровнем сигнала и добиться хороших характеристик усиления. Максимальная мощность 2 Вт гарантирует стабильную работу устройства при правильном использовании. Высокая граничная частота 40 МГц позволяет применять трансистор в быстродействующих схемах и радиочастотных приложениях, что расширяет его область применения. Этот компонент - оптимальное решение для тех, кто ищет качественный и долговечный транзистор для своих проектов.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
219120
Производитель
ON Semiconductor
Корпус
D2Pak (TO-263)
Тип транзистора
PNP
Напряжение КЭ Макс.
80 В
Ток коллектора Макс.
10 А
Мощность Макс.
2 Вт
PNP
Тип биполярного транзистора, где ток управляется Emмиттером
Корпус D2Pak
Поверхностный монтажный корпус для радиотехнических устройств
Коэффициент усиления hFE
Параметр, указывающий усиление транзистора
Граничная частота
Максимальная частота, при которой транзистор сохраняет свои характеристики
Высокое рабочее напряжение и ток, надежный корпус для поверхностного монтажа, хорошая теплопередача, высокая граничная частота, подходящий для различных схем и приложений
Ограниченная мощность 2 Вт, требует правильного охлаждения при высокой нагрузке, не подходит для тяжелых промышленных нагрузок
Он обладает высоким напряжением и током, надежным корпусом для поверхностного монтажа, высокой граничной частотой и хорошими характеристиками усиления, что делает его универсальным для различных электронных схем.
Он подходит для усилительных схем, коммутационных устройств, источников питания и радиочастотных приложений, благодаря высокой граничной частоте и мощности.
При правильном охлаждении и соблюдении технических характеристик транзистор может работать в условиях повышенных температур, но его мощность 2 Вт ограничивает длительный нагрев без охлаждения.
Транзистор монтируется поверхностным способом на плату, обеспечивая хорошее теплоотведение и надежное соединение. Для оптимальной работы рекомендуется использовать термопасту или радиатор.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.