Кондуктометр Многофункциональный тестер транзисторов LCR-P1 для определения емкости и сопротивления МОП-полевых транзисторов с электронным компонентом
1 803 ₽
Цена на 15.05.2026
Яндекс.МаркетПоле транзистор MOSFET N-канальный SiC 1200В 17А TO-247 Wolfspeed
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
647.78 ₽
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 19.05.2026
647.78 ₽
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC модели C3M0160120D от производителя Wolfspeed, Inc. - это компонент с высоким напряжением выдержки до 1200 В и током 17 А. Такой MOSFET идеально подходит для использования в высоковольтных и высокоточных цепях, где требуется надежное управление мощностью. Корпус TO-247 дает хорошую теплопередачу и удобство монтажа, а наличие корпуса в упаковке по 30 штук значительно упрощает массовое производство и техническое обслуживание. Использование SiC (карбид кремния) технологии позволяет уменьшить энергопотери и повысить эффективность работы устройства по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами. Разработан специально для профессиональных решений в области энергетики, электромоторных приводов и промышленных систем, где важна высокая надежность и долговечность. Благодаря своим техническим характеристикам, данный транзистор обеспечит стабильную работу в условиях высоких нагрузок и температур.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 916684
- Наименование
- C3M0160120D
- Производитель
- Wolfspeed, Inc.
- Тип
- N-канальный MOSFET
- Напряжение
- 1200 В
- Ток
- 17 А
- Корпус
- TO-247
- MOSFET
- Транзистор с эффектом поля, используемый для управления мощностью
- SiC
- Карбид кремния, материал для полупроводниковых устройств, обеспечивающий высокие темпы переключения и снижение потерь
- TO-247
- Тип корпуса для электронных компонентов, большой тепловой радиатор и удобство монтажа
- Нормоупаковка
- Стандартная упаковка для хранения и транспортировки компонентов
Высокое напряжение и токовая нагрузка, надежная и эффективная технология SiC, удобный корпус TO-247 для монтажа, оптимальное решение для промышленных и энергетических систем.
Цена может быть выше по сравнению с кремниевыми аналогами, требует специальных условий монтажа и охлаждения при высокой нагрузке.
Максимальное напряжение для данного MOSFET составляет 1200 В, что обеспечивает его работу в высоковольтных схемах.
Этот транзистор отлично подходит для использования в энергетических системах, электроприводах, высоковольтных переключателях и промышленных оборудований, требующих надежной работы при высоких напряжениях и токах.
Использование карбида кремния (SiC) позволяет снизить энергопотери, повысить КПД и обеспечить более быструю коммутацию по сравнению с кремниевыми аналогами, что особенно важно в современных энергоэффективных системах.
Данный транзистор предназначен для управления мощностью в высоковольтных цепях и не предназначен для радиочастотных применений.