IRFB4019PBF мощный MOSFET N-канальный 150V 17A 80Вт корпус TO-220AB
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
IRFB4019PBF - это мощный полевой транзистор MOSFET с высоким напряжением и ценой, идеально подходящий для различных силовых схем. Он обладает максимальным напряжением сток-исток 150 В и током стока до 17 А, что делает его надежным компонентом для управляемых электрических устройств. Этот транзистор отличается низким сопротивлением открытого канала 95 мОм и мощностью рассеяния 80 Вт, что дает эффективную работу и минимальные тепловые потери. Благодаря корпусу TO-220AB и типу монтажа Through Hole, он легко устанавливается и подходит для различных плат и систем. IRFB4019PBF особенно популярен в сфере силовой электроники и автоматики, где важна высокая надежность и эффективность. Его параметры позволяют использовать его в инверторах, преобразователях и драйверах электродвигателей. Простой монтаж и надежные характеристики делают этот транзистор универсальным решением для профессиональных и любительских проектов.
- Артикул магазина
- 203969
- Производитель
- Infineon Technologies
- Корпус
- TO-220AB
- Напряжение сток-исток макс.
- 150В
- Ток стока макс.
- 17A
- Сопротивление открытого канала
- 95 мОм
- Мощность макс.
- 80Вт
- MOSFET
- Металл-оксидный полевой транзистор
- Корпус TO-220AB
- Тип корпуса для монтажа через просверленные отверстия
- Пороговое напряжение включения
- Минимальное напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток
- Заряд затвора
- Объем электрического заряда, необходимый для открытия транзистора
- Входная емкость
- Емкость между затвором и источником транзистора
Получайте данные об этом и других товарах по API. Документация для разработчиков.
Пример запроса (в поле query укажите, например, название товара):
POST https://poisk.im/api_dev/search/{ "query": "IRFB4019PBF мощный MOSFET N-канальный 150V 17A 80Вт корпус TO-220AB" }
Подробная информация об использовании изображений товаров, указании источников и порядке обращения правообладателей размещена в разделе «Правообладателям».