Модуль силовой GaN MOSFET TPD3215M 600В 70А 470Вт для электроники и промышленности
Источник изображений товара: Промэлектроника
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Модуль силовой GaN MOSFET TPD3215M представляет собой высокотехнологичный компонент для мощных электронных устройств. Благодаря использованию технологии GaN (ганниум нитрид), он обеспечивает высокую эффективность и минимальные тепловые потери при работе. Этот двухканальный (N-канальный) модуль рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 70 А, что делает его идеальным решением для различных промышленных и бытовых задач, требующих надежных силовых элементов. Модуль TPD3215M отличается компактным корпусом и удобной сборкой, что позволяет легко интегрировать его в сборочные платы и системы. Его характеристикам соответствует мощность до 470 Вт, что обеспечивает стабильную работу при высоких нагрузках. Высокая скорость переключения и низкое сопротивление канала делают этот компонент привлекательным выбором для разработки эффективных и современных электронных устройств.
Высокая эффективность, широкий диапазон напряжений и токов, компактный размер, надежность в эксплуатации
Дороговизна, требует опыта при монтаже и эксплуатации, возможна необходимость встроенных теплоотводов