POISK.IMПоиск по интернет-магазинам
Подключить магазин
Массовый поиск

MOSFET N-канальный STP7NK80ZFP 800V 5.2A 30Вт транзистор

Артикул магазина:
141811
Превью изображения товара
Превью изображения товара
Изображение товара MOSFET N-канальный STP7NK80ZFP 800V 5.2A 30Вт транзистор

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:
141811
6░░░ ₽
Цена на 13.04.2026
История цены
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 13.04.2026
6░░░ ₽
История цены

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

Транзистор полевой MOSFET N-канальный STP7NK80ZFP от производителя ST Microelectronics - это надежное решение для высоковольтных и силовых электронных схем. Он обладает высокой максимально допустимой напряжением сток-исток 800В и токоотдачей до 5. 2А, что дает стабильную работу при высоких нагрузках. Благодаря корпусу TO-220FP транзистор легко монтируется и отлично справляется с тепловой нагрузкой, а мощность до 30Вт свидетельствует о его высокой эффективности. Этот MOSFET идеально подходит для использования в силовых блоках питания, драйверах и преобразователях, а также для различных автоматизированных систем. Его особенности включают низкое сопротивление открытого канала 1. 8 Ом и пороговое напряжение включения до 4. 5В, что делает его удобным в управлении и дает минимальные потери при работе. Надежность и простота эксплуатации делают его популярным выбором среди инженеров и радиолюбителей.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

ПроизводительST Microelectronics
КорпусTO-220FP
Напряжение сток-исток макс.800В
Ток стока макс.5.2A
Сопротивление открытого канала1.8 Ом
Мощность макс.30Вт
Тип транзистораN-канал
Пороговое напряжение включения макс.4.5В
Заряд затвора56нКл
Входная емкость1138пФ
Тип монтажаThrough Hole
БрендST Microelectronics
MOSFETМетал-оксид полупроводниковый полевой транзистор
Пороговое напряжение включенияМинимальное напряжение для открытия транзистора
КорпусФорма и конструкция корпуса компонента
Входная емкостьЕмкость между управляющим электродом и каналом транзистора

Высокая напряжность 800В, надежность, компактный корпус TO-220FP, простота монтажа, высокая мощность

Модель может быть сложной для управления в некоторых схемах, сопротивление открытого канала 1.8 Ом не самое низкое

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.