IGBT модуль JGT150HF120G1NS JBY полумост 1200-3300 В


Источник изображений товара: ЭТМ. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Модуль IGBT JGT150HF120G1NS от бренда JBY представляет собой высоконадёжный полумостовой IGBT модуль нового поколения, который успешно применяется в 2-х и 3-х уровневых преобразователях. С этим модулем, соответствующим строгим европейским стандартам качества, вы получите высокую эффективность работы ваших устройств. Модуль изготовлен с использованием чипов 7-го поколения, что обеспечивает отличную производительность и долговечность. Каждый модуль проходит 100% выходной контроль, что гарантирует его надежность в эксплуатации. Модуль предназначен для работы с номинальным обратным напряжением от 1200 В до 3300 В и номинальным током от 75 А до 3600 А, что делает его универсальным решением для различных промышленных задач.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая надёжность и эффективность благодаря современным чипам 7-го поколения и 100% выходному контролю.
Необходимость в специализированном оборудовании для установки и настройки.
Сравнение товаров
| Страна | ||||
| Китай | Китай | Китай | Китай | Китай |
| Производитель | ||||
| JBY | JBY | JBY | JBY | JBY |
| Артикул | ||||
| УТ-00025802 | УТ-00025800 | УТ-00025801 | УТ-00025798 | УТ-00025946 |
| Ед.измерения | ||||
| шт | шт | шт | шт | шт |
| Тип изделия | ||||
| модуль | модуль | модуль | модуль | модуль |











