POLUVOKY MOSFET N-канальный STP80NF55-08 55В 80А 300Вт

143.02
Цена на 28.04.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 28.04.2026
143.02

Транзистор полевой MOSFET N-канальный STP80NF55-08 предназначен для использования в различной электронной технике и схемах. Этот мощный транзистор обеспечивает высокую стабильность и надежность работы при напряжении до 55В и токе до 80А. Его хорошая теплопроводность и низкое сопротивление открытого канала позволяют эффективно управлять мощностью и снижать теплотворность системы. Благодаря корпусу TO-220AB, устройство легко монтируется и отлично подходит для радиации и теплоотвода в условиях повышенных нагрузок.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
242076
Производитель
ST Microelectronics
Корпус
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.
55В
Ток стока макс.
80A
Сопротивление открытого канала
8 мОм
Мощность макс.
300Вт
MOSFET
Металловоксельный полевой транзистор, тип полевого транзистора, управляемый напряжением
Пороговое напряжение включения
Минимальное напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток
Заряд затвора
Количество заряда, необходимое для открытия транзистора
Входная емкость
Ёмкость входного затвора транзистора, влияет на быстродействие
Высокая мощность и надежность, низкое сопротивление и высокая теплопроводность, подходит для мощных схем
Требует хорошего отвода тепла при высокой нагрузке, использование требует навыков пайки
Этот транзистор идеально подходит для использования в силовых схемах, инверторах, регулируемой электронике и устройствах, где требуется управление большими токами и напряжениями.
Для эффективной работы рекомендуется использовать радиатор, обеспечить надежное крепление и хороший теплоотвод, а также соблюдать правила пайки и монтажные требования корпуса TO-220AB.
Основные преимущества — высокая мощность, низкое сопротивление открытого канала и высокая теплопроводность корпуса, что обеспечивает стабильную работу при больших нагрузках.
Входная емкость и заряд затвора могут влиять на быстродействие, поэтому для высокочастотных приложений лучше выбрать транзистор с меньшими емкостными характеристиками.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.