Биполярный транзистор IGBT FGH40N60SMD 600 В 80 А TO-247



Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT модели FGH40N60SMD от производителя ON Semiconductor предназначен для использования в силовых электронных устройствах. Этот транзистор дает высокое напряжение до 600 В и ток до 80 А, что делает его идеальным решением для промышленных и автомобильных применений. Благодаря корпусу TO-247 он легко устанавливается и хорошо отводит тепло, а высокая рассеиваемая мощность до 349 Вт позволяет использовать его в нагрузках с большими нагрузками и высоким КПД. Ключевые преимущества FGH40N60SMD - это надежность и долговечность, что обеспечивается современными технологиями производства. Возможность быстрого переключения энергии до 870 мкДж позволяет использовать его в импульсных схемах, сокращая время отклика и уменьшая потери энергии. Этот транзистор подойдет для тех, кто ищет высокоэффективное и надежное силовое решение для своих устройств.
- Артикул магазина
- 155629
- Производитель
- ON Semiconductor
- Корпус
- TO-247
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- 600 В
- Максимальный ток коллектора
- 80 А
- Импульсный ток коллектора
- 120 А
- Максимальная рассеиваемая мощность
- 349 Вт
- ИБГТ
- Изолированный биполярный транзистор с управляемым затвором
- Корпус TO-247
- Тип корпуса с выводами для монтажа на радиатор