Биполярный транзистор IGBT FGH40N60SMD 600 В 80 А TO-247

Биполярный транзистор IGBT модели FGH40N60SMD от производителя ON Semiconductor предназначен для использования в силовых электронных устройствах. Этот транзистор дает высокое напряжение до 600 В и ток до 80 А, что делает его идеальным решением для промышленных и автомобильных применений. Благодаря корпусу TO-247 он легко устанавливается и хорошо отводит тепло, а высокая рассеиваемая мощность до 349 Вт позволяет использовать его в нагрузках с большими нагрузками и высоким КПД. Ключевые преимущества FGH40N60SMD - это надежность и долговечность, что обеспечивается современными технологиями производства. Возможность быстрого переключения энергии до 870 мкДж позволяет использовать его в импульсных схемах, сокращая время отклика и уменьшая потери энергии. Этот транзистор подойдет для тех, кто ищет высокоэффективное и надежное силовое решение для своих устройств.

Высокое напряжение и токовая нагрузка, надежность, хорошая теплоотводимость за счет корпуса TO-247, высокая рассеиваемая мощность, подходит для промышленных задач.

Цена может быть выше по сравнению с менее мощными моделями, требует правильного монтажа и охлаждения для достижения заявленных характеристик.