Транзистор MOSFET N-канальный FDB33N25TM 250В 33А

Артикул магазина:
197189
Артикул магазина:
197189
111.82
Цена на 14.02.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 14.02.2026
111.82

Транзистор полевой MOSFET N-канального типа FDB33N25TM идеально подходит для высоковольтных применений. Он обладает максимальным напряжением сток-исток в 250В и током стока до 33А, что делает его отличным выбором для различных электронных устройств. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 94 мОм, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Мощность, которую он может выдержать, составляет 235Вт, что позволяет использовать его в мощных схемах. Такой транзистор легко интегрировать в существующие проекты благодаря форм-фактору D2Pak (TO-263), что обеспечивает удобство монтажа. Входная емкость транзистора составляет 2135пФ, а заряд затвора - 48нКл, что также благоприятно сказывается на его характеристиках.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

БрендON Semiconductor
КорпусD2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.250В
Ток стока макс.33A
Сопротивление открытого канала94 мОм
Мощность макс.235Вт
Тип транзистораN-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора48нКл
Входная емкость2135пФ
Тип монтажаSurface Mount
MOSFETМеталлооксидный полевой транзистор, используемый для управления мощными сигналами.

Высокое напряжение и ток, низкое сопротивление открытого канала, компактный корпус.

Чувствительность к статическому электричеству требует аккуратного обращения.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.