Bиполярный транзистор IGBT FGA60N65SMD 650 В 120 А 600 Вт

Артикул магазина:

197915

Изображение товара Bиполярный транзистор IGBT FGA60N65SMD 650 В 120 А 600 Вт

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:

197915

200.12 ₽

Цена на 02.04.2026

Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 02.04.2026

200.12 ₽

Биполярный транзистор IGBT FGA60N65SMD предназначен для управления мощными электросхемами благодаря высокой надежности и эффективности. Этот транзистор обладает напряжением пробоя до 650 В и током коллектора до 120 А, что делает его подходящим для использования в промышленных устройствах, источниках питания и инверторах. Модель FGA60N65SMD обеспечивает хорошую теплопроводность и долговечность при эксплуатации в сложных условиях. Отличается простотой установки и стабильной работой, позволяя снизить нагрузку на систему и повысить эффективность работы электрооборудования.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

ПроизводительON Semiconductor

КорпусTO-3PN

Напряжение пробоя650 В

Ток коллектора120 А

Мощность600 Вт

IGBTБиполярный транзистор с изолированным затвором, использующийся для управления мощными токами и напряжениями

TO-3PNТип корпуса транзистора, обеспечивающий хорошую теплоотводимость и удобство монтажа

Высокое напряжение пробоя и токовая нагрузка, надежность и долговечность, универсальность использования в мощных схемах

Требует правильного теплоотвода, может быть сложен в монтаже для новичков

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.