MOSFET N-канальный транзистор FDD13AN06A0 60В 50А

Артикул магазина:

146103

Изображение товара MOSFET N-канальный транзистор FDD13AN06A0 60В 50А

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:

146103

1░░░ ₽

Цена на 17.01.2026

История цены

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 17.01.2026

1░░░ ₽

История цены

Транзистор полевой MOSFET N-канальный FDD13AN06A0 предназначен для использования в различных электронных приложениях. Особенностью данного транзистора является его высокая эффективность и надежность при работе с напряжениями до 60В и токами до 50А. Сопротивление открытого канала составляет всего 13 мОм, что обеспечивает низкие потери мощности и высокую степень управления. Этот транзистор подходит для использования в автомобильной электронике благодаря своей надежности и качеству, что делает его отличным выбором для профессиональных разработчиков и энтузиастов.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

ПроизводительON Semiconductor

КорпусDPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.60В

Ток стока макс.9.9A

Сопротивление открытого канала13.5 мОм

Мощность макс.115Вт

Тип транзистораN-канал

ОсобенностиAutomotive

Пороговое напряжение включения макс.4В

Заряд затвора29нКл

Входная емкость1350пФ

Тип монтажаSurface Mount

MOSFETМеталл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор, использующийся для управления электрическим током.

N-канальныйТип MOSFET, где ток проходит через канал, образованный электронами.

Сток-истокВыводы транзистора для подачи напряжения и отведения тока.

Пороговое напряжениеНапряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.

Высокая эффективность и надежность, низкое сопротивление открытого канала, подходит для автомобильной электроники.

Относительно ограниченное максимальное напряжение и ток.