MOSFET транзистор N-канальный STP10NM60N 600В 10A TO-220AB

Артикул магазина:
241935
Артикул магазина:
241935
139.53
Цена на 20.01.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 20.01.2026
139.53

Транзистор полевой MOSFET STP10NM60N представляет собой надежный N-канальный компонент, способный работать с максимальным напряжением 600В и током до 10A. Он имеет корпуса TO-220AB, что делает его удобным для монтажа. Сопротивление открытого канала составляет всего 550 мОм, что обеспечивает низкие потери энергии и высокую эффективность работы. Транзистор подходит для применения в различных схемах, включая источники питания и усилители. Пороговое напряжение включения не превышает 4В, а заряд затвора составляет 19нКл, что позволяет легко управлять его работой. Такой транзистор, как STP10NM60N, станет отличным выбором для разработчиков, ищущих мощное и надежное решение для своих электронных устройств.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

БрендST Microelectronics
КорпусTO-220AB
Напряжение сток-исток макс.600В
Ток стока макс.10A
Сопротивление открытого канала550 мОм
Мощность макс.70Вт
Тип транзистораN-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора19нКл
Входная емкость540пФ
Тип монтажаThrough Hole
MOSFETПолевой транзистор, используемый для управления мощностью в электронных устройствах.
N-каналТип транзистора, который работает на основе потока негативно заряженных носителей (электронов).

Высокая мощность и напряжение, надежность, низкое сопротивление открытого канала.

Может требовать дополнительного охладителя при высоких нагрузках.