Полеовой MOSFET N-канальный FDD850N10L ON Semiconductor 100V 15.7A 50W

Транзистор полевой MOSFET N-канальный FDD850N10L от ON Semiconductor предназначен для эффективной работы в цепях с высоким напряжением и током. Его максимальное напряжение сток-исток составляет 100В, а ток стока - 15. 7А, что дает надежную работу в различных электронных устройствах и схемах. Благодаря корпусу DPAK/TO-252AA и технологии Surface Mount, этот транзистор легко монтируется на плату, что делает его подходящим для различных промышленных и бытовых проектов. Особенности модели включают Logic Level Gate - низкое пороговое напряжение включения до 2. 5В, что позволяет управлять транзистором даже при низком уровне сигнала. Максимальная мощность, которую он может рассеять - 50Вт, что дает его использование в нагрузках средней мощности. Кроме того, низкое сопротивление открытого канала - 75 мОм - способствует снижению потерь и повышению эффективности работы схем. Этот компонент идеально подходит для задач, связанных с переключением и управлением силовыми цепями, благодаря своей надежности и компактности.