Транзистор IGBT IKW40N65ES5XKSA1 650В 50А TO247-3 мощный

Транзистор IGBT IKW40N65ES5XKSA1 от Infineon Technologies - надежное решение для высоковольтных электронных устройств. Этот компонент обладает напряжением пробоя 650 В, что дает безопасность при работе с высокими напряжениями. Его допустимый ток составляет 50 А, а мощность рассеяния - 115 Вт, что позволяет использовать его в промышленных драйверах, преобразователях и инверторах. Корпус PG-TO247-3 облегчает монтаж и дает эффективное теплоотведение, что продлевает срок службы устройства. Этот транзистор подходит для различных задач, требующих высокой надежности и эффективности. Благодаря своим характеристикам, IGBТ IKW40N65ES5XKSA1 помогает снизить потери энергии и повысить эффективность работы электронных систем. Он идеально подходит для использования в силовой электронике, автоматике и производстве электрооборудования. С таким компонентом ваши проекты приобретут стабильность и долговечность, а монтаж и эксплуатация станут максимально удобными.

Высокое напряжение пробоя, высокий ток, надежный корпус, хорошая теплопроводность, подходит для промышленных устройств

Может потребовать кулера для охлаждения при длительной высокой нагрузке, стоимость может быть выше для конкурентов со схожими характеристиками