Транзистор IGBT IKW40N65ES5XKSA1 650В 50А TO247-3 мощный

118.21
Цена на 02.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 02.05.2026
118.21

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

Транзистор IGBT IKW40N65ES5XKSA1 от Infineon Technologies - надежное решение для высоковольтных электронных устройств. Этот компонент обладает напряжением пробоя 650 В, что дает безопасность при работе с высокими напряжениями. Его допустимый ток составляет 50 А, а мощность рассеяния - 115 Вт, что позволяет использовать его в промышленных драйверах, преобразователях и инверторах. Корпус PG-TO247-3 облегчает монтаж и дает эффективное теплоотведение, что продлевает срок службы устройства. Этот транзистор подходит для различных задач, требующих высокой надежности и эффективности. Благодаря своим характеристикам, IGBТ IKW40N65ES5XKSA1 помогает снизить потери энергии и повысить эффективность работы электронных систем. Он идеально подходит для использования в силовой электронике, автоматике и производстве электрооборудования. С таким компонентом ваши проекты приобретут стабильность и долговечность, а монтаж и эксплуатация станут максимально удобными.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
412464
Напряжение пробоя
650 В
Ток
50 А
Мощность рассеяния
115 Вт
Корпус
PG-TO247-3
Бренд
Infineon Technologies
IGBT
Транзистор с изолированным затвором, combines свойства МОП и биполярных транзисторов для высоких напряжений и токов
Корпус PG-TO247-3
Тип корпуса для электронных компонентов, обеспечивающий хорошее теплоотведение
Высокое напряжение пробоя, высокий ток, надежный корпус, хорошая теплопроводность, подходит для промышленных устройств
Может потребовать кулера для охлаждения при длительной высокой нагрузке, стоимость может быть выше для конкурентов со схожими характеристиками
Да, транзистор IKW40N65ES5XKSA1Designed для работы при напряжении 650 В, что делает его подходящим для инверторов и других устройств с высокими требованиями к напряжению.
Рекомендуется использовать радиатор или кулер, поскольку мощность рассеяния достигает 115 Вт, что при продолжительной нагрузке требует охлаждения для предотвращения перегрева.
У транзистора корпус PG-TO247-3, который обеспечивает хорошее теплоотведение и удобство монтажа.
Эта модель обозначает транзистор IGBT с характеристиками 650 В, 50 А, изготовленный компанией Infineon, с корпусом TO247-3.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.