Полевой транзистор MOSFET N-канальный SiC 1200В 66А TO-247 4-Pin
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Этот полевой транзистор MOSFET N-канальный на базе силицека (SiC) идеально подходит для высоконагруженных промышленных и энергетических систем. Благодаря напряжению пробоя в 1200 В и току в 66 А он обеспечивает стабильную работу в условиях высокой нагрузки и температуры. Транзистор выполнен в корпусе TO-247 с 4 выводами и дополнительной табличкой, что облегчает монтаж и охлаждение. Использование SiC материалов позволяет повысить эффективность и снизить потери при переключении, что делает этот MOSFET отличным выбором для инверторов, преобразователей и силовых модулей. Преимущества этого транзистора включают высокую надежность, долговечность и эффективное управление энергопотоками. Он подходит для работы в промышленных установках, систем электроснабжения и других областях, где важны высокая частота переключения и минимальные тепловые потери. Благодаря компактному корпусу и качественной сборке, устройство легко интегрируется в существующие системы, обеспечивая долгий срок службы и стабильную работу оборудования.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая надежность и долговечность, эффективность работы при высокой нагрузке, удобство монтажа благодаря корпусу TO-247.
Высокая цена по сравнению с обычными типами транзисторов, требует опытного монтажа для правильного охлаждения.