Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В MGC50D12A1-251H3 TECH Semiconductors
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Полумостовой модуль IGBT MGC50D12A1-251H3 предназначен для высоковольтных и силовых промышленных схем. Этот модуль обеспечивает стабильную работу при напряжении до 1200В и токе до 50А, что делает его идеальным выбором для инверторов, преобразователей и других силовых устройств. Благодаря высокой надежности и долговечности, данный IGBT модуль способствует повышению эффективности и снижению затрат на техническое обслуживание. Модель MGC50D12A1-251H3 отличается простотой установки и эксплуатации, а также удобной упаковкой в виде россыпи. Его технические параметры соответствуют высоким стандартам, что гарантирует безопасность и стабильную работу оборудования. Такой модуль подходит для различных промышленных приложений, требующих надежных силовых компонентов, и отлично сочетается с другими элементами силовой электроники.
- Артикул магазина
- 376441
- Наименование
- MGC50D12A1-251H3
- Производитель
- TECH Semiconductors Co., Ltd Производитель входит в основные линии поставок
- Описание Eng
- IGBT Module half-bridge 1200V 50A
- Тип упаковки
- Bulk (россыпь)
- Нормоупаковка
- 1 шт
- Напряжение коллектор-эмиттер
- 1200В
- IGBT
- Транзистор с изолированным затвором, используемый для высокого напряжения и силы тока
- Полумостовой модуль
- Электронный компонент, состоящий из двух транзисторов для управления мощностью
- Напряжение коллектор-эмиттер
- Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером