MOSFET транзистор IPD80R1K0CEATMA1 800В 5.7A DPAK лента на катушке

Артикул магазина:

203400

Изображение товара MOSFET транзистор IPD80R1K0CEATMA1 800В 5.7A DPAK лента на катушке

Источник изображений товара: Промэлектроника

Артикул магазина:

203400

48.12 ₽

Цена на 27.10.2025

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 27.10.2025

48.12 ₽

Транзистор полевой MOSFET N-канального IPD80R1K0CEATMA1 - это надежный компонент для электронных устройств и схем, обеспечивающий эффективное управление токами и напряжениями. Благодаря высокой максимальной напряженности до 800В и току стока до 5. 7A, он подходит для различных Power-устройств, блоков питания и силовых модулей. Производство Infineon Technologies гарантирует высокое качество и долговечность продукта. Данный MOSFET выполнен в корпусе DPAK, что дает простоту монтажа и хорошую теплоотдачу за счет поверхностного монтажа. Лента на катушке упрощает автоматическую установку при производстве, делая его удобным для серийного изготовления электроники. Высокая производительность и надежность делают этот транзистор отличным выбором для инженеров и радиолюбителей, стремящихся улучшить характеристики своих устройств.

ПроизводительInfineon Technologies

КорпусDPAK

Напряжение сток-исток макс800В

Ток стока макс5.7A

Тип транзистораN-канал

Тип монтажаSurface Mount

MOSFETПолевой транзистор с изолированным затвором, используемый для быстрого переключения и контроля мощных токов

DPAKТип корпуса для поверхностного монтажа, обеспечивающий небольшой размер и хорошую теплоотдачу

Surface MountПоверхностное монтажное крепление компонентов на плату

Высокое напряжение и токовая нагрузка, надежное качество от Infineon, удобство автоматического монтажа, компактный размер корпуса DPAK

Не подходит для высокочастотных схем, чувствителен к статическому электричеству при монтаже