Шаговый двигатель NEMA23, биполярный, угловой шаг 1,8 градуса, 112x57x57 мм
3 978 ₽
Цена на 14.05.2026
Яндекс.МаркетБиполярный транзистор IGBT SKM150GAL12T4 1200В 150А корпус SEMITRANS
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
3░░░ ₽
История цены
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 20.05.2026
3░░░ ₽
История цены
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT модели SKM150GAL12T4 предназначен для надежных высоковольтных и силовых приложений. Этот модуль рассчитан на работу при напряжении до 1200 В и токе до 150 А, что обеспечивает его использование в индустриальных системах, преобразователях и приводах. Благодаря современному корпусу SEMITRANS® 2 и качественной нормоупаковке из бумаги, транзистор отличается высокой теплопроводностью и удобством монтажа. Преимущества данного компонента включают высокую надежность, устойчивость к перегрузкам и эффективное управление мощностью. Использование этого IGBT способствует повышению эффективности системы, снижению потерь и продлению ресурса оборудования. Описание на английском языке подтверждает качество продукции ведущего производителя Semikron Elektronik GmbH, что гарантирует соответствие международным стандартам и долгий срок эксплуатации.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 411052
- Наименование
- SKM150GAL12T4
- Производитель
- Semikron Elektronik GmbH
- Описание Eng
- IGBT Module N-CH 1200V 150A
- Тип упаковки
- Paper Box
- Нормоупаковка
- 8 шт
- Корпус
- SEMITRANS® 2
- IGBT
- Изолированные биполярные транзисторы высокой мощности
- Корпус SEMITRANS® 2
- Специальный пластиковый корпус для модулей IGBT
- Нормоупаковка
- Стандартное количество штук в упаковке
Высокая надежность, устойчивость к перегрузкам, эффективное управление мощностью
Может иметь сложность монтажных работ для новичков
IGBT — это изолированные биполярные транзисторы высокой мощности, используемые для управления большими токами и напряжениями в промышленной электронике, преобразователях и приводах.
Данная модель обеспечивает высокое напряжение до 1200 В, ток до 150 А, обладает надежностью, долговечностью и простотой монтажа благодаря корпусу SEMITRANS® 2.
Да, он специально разработан для работы при напряжении до 1200 В, что делает его идеальным для высоковольтных индустриальных приложений.
Упаковка представляет собой бумажную коробку, в которой размещено 8 штук модуля.