Биполярное расстройство: гид по выживанию для тех, кто часто не видит белой полосы Пушкина М, Касьянов Е. Д.
1 092 ₽
Цена на 20.04.2026
Яндекс.МаркетКатегории:
Биполярный транзистор IGBT FF100R12RT4HOSA1 1200 В 100 А 555 Вт
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
5░░░ ₽
История цены
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 22.04.2026
5░░░ ₽
История цены
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT FF100R12RT4HOSA1 - это высокоэффективный полупроводниковый компонент, предназначенный для управления большими токами и напряжениями. Он обеспечивает надежную работу в промышленных и силовых схемах, обладает высокой коммутируемостью и низкими тепловыми потерями. Транзистор подходит для использования в преобразователях, инверторах и силовых модулях, обеспечивая стабильную работу при длительных нагрузках. Данное изделие характеризуется высоким уровнем надежности благодаря качественной сборке и современным технологиям производства. Благодаря корпусу AG-34MM транзистор легко устанавливается и охлаждается. Он способен выдерживать напряжение до 1200 В и ток до 100 А, что делает его отличным выбором для задач, требующих мощности и высокой эффективности. Этот IGBT отличается долговечностью и высокой частотой переключения, что особенно важно в современных энергосистемах и промышленном оборудовании.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 139729
- Производитель
- Infineon Technologies
- Корпус
- AG-34MM
- Напряжение
- 1200 В
- Ток
- 100 А
- Мощность
- 555 Вт
- IGBT
- Изолированный биполярный транзистор, объединяющий характеристики полевых транзисторов и биполярных транзисторов для более эффективных переключений
Высокая Надежность и Эффективность, Надежный Производитель, Высокие параметры напряжения и тока
Стоимость может быть выше аналогов, требует правильной установки и охлаждения
IGBT - это изолированный биполярный транзистор, который используется в силовых электронных схемах для управления большими токами и напряжениями, например, в инверторах, преобразователях и электроприводах.
Данный транзистор способен работать при напряжении до 1200 В, токе до 100 А и мощности 555 Вт, что делает его подходящим для мощных силовых приложений.
Рекомендуется использовать корпус AG-34MM для удобства монтажа и обеспечить соответствующее охлаждение для предотвращения перегрева и продления срока службы.
Преимущества включают высокую надежность, эффективность работы при больших нагрузках и стабильность характеристик благодаря современным технологиям производства.