Биполярный транзистор IGBT FF100R12RT4HOSA1 1200 В 100 А 555 Вт
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT FF100R12RT4HOSA1 - это высокоэффективный полупроводниковый компонент, предназначенный для управления большими токами и напряжениями. Он обеспечивает надежную работу в промышленных и силовых схемах, обладает высокой коммутируемостью и низкими тепловыми потерями. Транзистор подходит для использования в преобразователях, инверторах и силовых модулях, обеспечивая стабильную работу при длительных нагрузках. Данное изделие характеризуется высоким уровнем надежности благодаря качественной сборке и современным технологиям производства. Благодаря корпусу AG-34MM транзистор легко устанавливается и охлаждается. Он способен выдерживать напряжение до 1200 В и ток до 100 А, что делает его отличным выбором для задач, требующих мощности и высокой эффективности. Этот IGBT отличается долговечностью и высокой частотой переключения, что особенно важно в современных энергосистемах и промышленном оборудовании.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая Надежность и Эффективность, Надежный Производитель, Высокие параметры напряжения и тока
Стоимость может быть выше аналогов, требует правильной установки и охлаждения