Полевой MOSFET N-канальный IPD122N10N3GATMA1 100В 12.2мОм для силовых схем
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Транзистор полевой MOSFET N-канальный серии OPTIMOS от Infineon Technologies идеально подходит для силовых приложений. Этот силовой MOSFET обеспечивает стабильную работу при напряжении до 100 В и низкое сопротивление открытого канала 12.2 мОм, что повышает эффективность передачи тока и снижает тепловые потери. Благодаря корпусу TO-252-3 и типу монтажа Surface Mount, устройство легко устанавливается на плату, что делает его удобным для различных электронных проектов и устройств. Модель IPD122N10N3GATMA1 предназначена для использования в силовых схемах, таких как регулируемые источники питания, коммутационные устройства и усилители. Надежность и качество Infineon гарантируют долгий срок службы и стабильную работу даже при тяжелых условиях эксплуатации. Используйте данный транзистор для создания эффективных и энергоэкономичных электронных решений.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая надежность и эффективность, низкое сопротивление открытого канала, удобство монтажа Surface Mount, подходит для различных силовых устройств
Не подходит для напряжений выше 100 В, возможна сложность монтажа для новичков