Биполярный транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1 от Infineon Technologies



Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1 от Infineon Technologies предназначен для работы в высоковольтных приложениях. Он способен выдерживать максимальное напряжение в 1200 В и максимальный ток коллектора до 50 А, что делает его идеальным решением для использования в инверторах и преобразователях энергии. Этот транзистор также имеет максимальную рассеиваемую мощность 326 Вт, что обеспечивает высокую эффективность и надежность работы. Особенностью данной модели является корпус PG-TO-247-3, который обеспечивает хорошую теплопередачу. Благодаря империческим характеристикам и высокой скорости переключения, транзистор IKW25N120H3FKSA1 идеально подходит для промышленных приложений.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами, надежность и долговечность.
Необходима осторожность при использовании в условиях высокой нагрузки.