Биполярный транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1 от Infineon Technologies

193.84
Цена на 22.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 22.05.2026
193.84

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

Биполярный транзистор IGBT IKW25N120H3FKSA1 от Infineon Technologies предназначен для работы в высоковольтных приложениях. Он способен выдерживать максимальное напряжение в 1200 В и максимальный ток коллектора до 50 А, что делает его идеальным решением для использования в инверторах и преобразователях энергии. Этот транзистор также имеет максимальную рассеиваемую мощность 326 Вт, что обеспечивает высокую эффективность и надежность работы. Особенностью данной модели является корпус PG-TO-247-3, который обеспечивает хорошую теплопередачу. Благодаря империческим характеристикам и высокой скорости переключения, транзистор IKW25N120H3FKSA1 идеально подходит для промышленных приложений.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
202859
Бренд
Infineon Technologies
Корпус
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
50 А
Импульсный ток коллектора макс.
100 А
Макс. рассеиваемая мощность
326 Вт
Биполярный транзистор IGBT
Элемент, который управляет электрическим током с использованием двух типов полупроводниковых материалов.
Макс. ток коллектора
Наибольший ток, который может пройти через коллектор транзистора без повреждений.
Макс. рассеиваемая мощность
Максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами, надежность и долговечность.
Необходима осторожность при использовании в условиях высокой нагрузки.
Биполярный транзистор IGBT - это элемент, который способен управлять большим током и напряжением, часто используется в инверторах и силовых преобразователях.
Максимальная рассеиваемая мощность для IKW25N120H3FKSA1 составляет 326 Вт.
Этот транзистор может выдерживать максимальный ток коллектора до 50 А.
Транзистор IKW25N120H3FKSA1 представлен в корпусе PG-TO-247-3.
Этот транзистор производится компанией Infineon Technologies в США.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.