MOSFET транзистор N-канальный FDD86102 100В 8А DPAK Surface Mount

Полностью полевой MOSFET транзистор N-канальный модели FDD86102 предлагает высокую надежность и отличные эксплуатационные характеристики. Этот транзистор способен работать при напряжении до 100В и токе до 8А, что делает его подходящим для различных силовых схем и устройств. Благодаря корпусу DPAK/TO-252AA и монтажу Surface Mount, он легко интегрируется в современные электронные платы. Использование Logic Level Gate позволяет управлять транзистором при низком уровне напряжения, что дает энергоэффективность и стабильную работу. Высокое качество производства на базе ON Semiconductor гарантирует долгий срок службы и надежность. Этот MOSFET отличается низким сопротивлением открытого канала 24 мОм и максимальной мощностью до 3. 1Вт, что расширяет его область применения - от силовых преобразователей до автоматизированных систем управления. Пороговое напряжение включения до 4В и заряд затвора 19 нКл делают его удобным для использования в потребительской электронике и промышленных решениях. В целом, FDD86102 - оптимальный выбор для тех, кто ищет качественный N-канальный транзистор с хорошими техническими параметрами и легкостью монтажа.

Высокая надежность, низкое сопротивление открытого канала, удобство монтажа Surface Mount

Минимальные характеристики могут ограничивать в мощных схемах без дополнительного охлаждения