FDV303N
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора. Обладает отличным сопротивлением включенного состояния даже при маленьком напряжении драйвера затвора (2.5В). Предназначен для использования в схемах с питанием от батареи (одной литиевой, 3-х кадмиевых или NIHM), инверторах, схемах DC/DC преобразования в сотовых телефонах или пейджерах. • Напряжение сток-исток (Vds) 25В• Напряжение затвор-исток 8В• Непрерывный ток стока 680мА• Рассеивание мощности 350мВт• Низкое сопротивление в открытом состоянии 330Ом при Vgs 4.5В• Диапазон рабочей температуры от -55°C до 150°C
- Артикул магазина
- 145866
- Наименование
- FDV303N
- Производитель
- ON Semiconductor
- Описание Eng
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
- Тип упаковки
- Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка
- 3000 шт
- Корпус
- SOT-23