Шаговый двигатель NEMA23, биполярный, угловой шаг 1,8 градуса, 112x57x57 мм
3 978 ₽
Цена на 14.05.2026
Яндекс.МаркетБиполярный транзистор IGBT FP35R12W2T4BOMA1 1200В 35А
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
2 635.32 ₽
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 01.06.2026
2 635.32 ₽
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT FP35R12W2T4BOMA1 от Infineon Technologies предназначен для использования в различных приложениях, требующих высокой надежности и стабильности. Этот транзистор может работать при напряжении до 1200В и токе коллектора до 35А, что делает его отличным выбором для задач в области управления мощностью и преобразования энергии. Его корпус AG-EASY2B обеспечивает удобство монтажа и эффективное теплоотведение, что способствует повышению долговечности устройства. Используйте FP35R12W2T4BOMA1 для реализации высокоэффективных электронных систем, которые требуют надежного и мощного инструмента для управления электроэнергией.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 139934
- Бренд
- Infineon Technologies
- Корпус
- AG-EASY2B
- Напряжение коллектора-эмиттер
- 1200В
- Ток коллектора
- 35А
- Биполярный транзистор
- Тип транзистора, в котором ток проводимости определяется как электронами, так и дырами.
- IGBT
- Изолированный биполярный транзистор с управляемым затвором, используемый для управления мощностью.
- Напряжение коллектор-эмиттер
- Максимальное напряжение, которое может быть приложено между коллектором и эмиттером транзистора.
- Ток коллектора
- Максимальный ток, который может пройти через коллектор транзистора.
Высокая надежность, работа при высоком напряжении, удобный корпус для монтажа.
Необходимость использования в специализированных схемах.
IGBT - это изолированный биполярный транзистор с управляемым затвором, который эффективно управляет мощностью.
Максимальное напряжение транзистора составляет 1200В.
Транзистор подходит для управления мощностью и преобразования энергии в различных электронных устройствах.
Максимальный ток коллектора составляет 35А.
Корпус транзистора - AG-EASY2B, что позволяет легко монтировать его в схемы.