Биполярный транзистор IGBT FP35R12W2T4BOMA1 1200В 35А

Артикул магазина:

139934

Изображение товара Биполярный транзистор IGBT FP35R12W2T4BOMA1 1200В 35А

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:

139934

2 590.05 ₽

Цена на 19.01.2026

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 19.01.2026

2 590.05 ₽

Биполярный транзистор IGBT FP35R12W2T4BOMA1 от Infineon Technologies предназначен для использования в различных приложениях, требующих высокой надежности и стабильности. Этот транзистор может работать при напряжении до 1200В и токе коллектора до 35А, что делает его отличным выбором для задач в области управления мощностью и преобразования энергии. Его корпус AG-EASY2B обеспечивает удобство монтажа и эффективное теплоотведение, что способствует повышению долговечности устройства. Используйте FP35R12W2T4BOMA1 для реализации высокоэффективных электронных систем, которые требуют надежного и мощного инструмента для управления электроэнергией.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

БрендInfineon Technologies

КорпусAG-EASY2B

Напряжение коллектора-эмиттер1200В

Ток коллектора35А

Биполярный транзисторТип транзистора, в котором ток проводимости определяется как электронами, так и дырами.

IGBTИзолированный биполярный транзистор с управляемым затвором, используемый для управления мощностью.

Напряжение коллектор-эмиттерМаксимальное напряжение, которое может быть приложено между коллектором и эмиттером транзистора.

Ток коллектораМаксимальный ток, который может пройти через коллектор транзистора.

Высокая надежность, работа при высоком напряжении, удобный корпус для монтажа.

Необходимость использования в специализированных схемах.