Полеовой транзистор MOSFET P-канальный FQB12P20TM 200В 11.5A TO-263

Полеовой транзистор MOSFET типа P-канальный модель FQB12P20TM от ON Semiconductor предназначен для использования в высоковольтных схемах и силовых устройствах. Обладает максимальным напряжением сток-исток до 200В и максимальным током стока 11.5A, что позволяет эффективно управлять мощностями в различных электронных конструкциях. Этот транзистор отличается низким сопротивлением открытого канала 470 мОм, что обеспечивает минимальные потери энергии при работе. Благодаря корпусу TO-263-3 монтаж устройства на плату осуществляется легко и быстро, что делает его идеальным выбором для производителей и радиолюбителей. FQB12P20TM подходит для разнообразных приложений, таких как драйверы и усилители, где важна высокая надежность и эффективность. Высокое качество изготовления и применение на уровне ведущих технологий позволяют гарантировать долгий срок службы и стабильную работу. Модель отличается компактностью, простотой установки и высокой стабильностью параметров в условиях промышленного использования.

Высокая максимальная напряженность 200В и ток 11.5A, низкое сопротивление канала, надежность и компактность корпуса для монтажа Surface Mount

Меньшая мощность рассеяния 3.13Вт может ограничить применение в очень мощных схемах