Шаговый двигатель NEMA23, биполярный, угловой шаг 1,8 градуса, 112x57x57 мм
3 978 ₽
Цена на 14.05.2026
Яндекс.МаркетБиполярный транзистор IGBT HGTG10N120BND 1200 В 35 А
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
2░░░ ₽
История цены
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 21.05.2026
2░░░ ₽
История цены
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Биполярный транзистор IGBT HGTG10N120BND предназначен для высоковольтных приложений и является надежным компонентом для различных технологий. Он обеспечивает эффективное управление электроэнергией благодаря своей способности работать с напряжением до 1200 В и током до 35 А. Такой транзистор идеально подходит для использования в инверторах, преобразователях и других устройствах, где необходима высокая производительность и надежность. Компактный корпус TO-247 обеспечивает простоту монтажа и надежное охлаждение, что является важным фактором в современных электрических системах.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 550009
- Производитель
- ON Semiconductor
- Корпус
- TO-247
- Напряжение
- 1200 В
- Ток
- 35 А
- IGBT
- Биполярный транзистор с изолированным затвором, используемый для управления мощными нагрузками.
Высокая производительность и надежность, поддержка высоких напряжений и токов, компактный корпус для легкой сборки.
Необходимость в стабильном охлаждении для эффективной работы, ограниченное применение в низковольтных устройствах.
Транзистор HGTG10N120BND может выдерживать максимальное напряжение до 1200 В.
Этот транзистор способен работать с током до 35 А.
Транзистор HGTG10N120BND выпускается в корпусе TO-247.
Он подходит для использования в инверторах, преобразователях и других высоковольтных электронных устройствах.
Производителем транзистора является компания ON Semiconductor.