Биполярный транзистор IGBT HGTG10N120BND 1200 В 35 А

Артикул магазина:

550009

Изображение товара Биполярный транзистор IGBT HGTG10N120BND 1200 В 35 А

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:

550009

2░░░ ₽

Цена на 29.01.2026

История цены

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 29.01.2026

2░░░ ₽

История цены

Биполярный транзистор IGBT HGTG10N120BND предназначен для высоковольтных приложений и является надежным компонентом для различных технологий. Он обеспечивает эффективное управление электроэнергией благодаря своей способности работать с напряжением до 1200 В и током до 35 А. Такой транзистор идеально подходит для использования в инверторах, преобразователях и других устройствах, где необходима высокая производительность и надежность. Компактный корпус TO-247 обеспечивает простоту монтажа и надежное охлаждение, что является важным фактором в современных электрических системах.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

ПроизводительON Semiconductor

КорпусTO-247

Напряжение1200 В

Ток35 А

IGBTБиполярный транзистор с изолированным затвором, используемый для управления мощными нагрузками.

Высокая производительность и надежность, поддержка высоких напряжений и токов, компактный корпус для легкой сборки.

Необходимость в стабильном охлаждении для эффективной работы, ограниченное применение в низковольтных устройствах.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.