Poisk.imПоиск по интернет-магазинам

Оперативная память DDR3 4 ГБ 1600 МГц Silicon Power SP004GBLTU160N02

Артикул магазина:
6627308
Артикул магазина:
6627308
6░░░
Цена на 29.10.2025
Бренд:
Модель:
Источник изображений товара:DNS (ДНС)
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 29.10.2025
6░░░

Оперативная память Silicon Power SP004GBLTU160N02 - это высокоскоростной модуль DDR3, идеально подходящий для геймеров и профессиональных разработчиков. Благодаря объему 4 ГБ и тактовой частоте 1600 МГц, она дает быструю обработку данных и стабильную работу тяжелых приложений и игр. Компактные размеры высотой всего 30 мм позволяют легко установить модуль в любой стандартный компьютер или ноутбук, не создавая проблем совместимости. Надежная работа при напряжении 1. 5 В гарантирует энергосбережение и долгий срок службы. Этот модуль памяти обладает низкими задержками и быстрым объемом передачи данных, что положительно влияет на производительность системы. Простая установка и отсутствие необходимости в радиатора или подсветке делают его универсальным решением для модернизации ПК. Память не содержит регистровых элементов и ECC, что делает ее более доступной и совместимой с большинством материнских плат. С учетом своих характеристик, данный модуль отлично подойдет для тех, кто ищет баланс цены и качества, а также хочет повысить быстродействие своего компьютера.

ТипОперативная память
МодельSilicon Power [SP004GBLTU160N02]
Тип памятиDDR3
Тип модуля памятиUDIMM
Суммарный объем памяти всего комплекта4 ГБ
Объем одного модуля памяти4 ГБ
Количество модулей в комплекте1 шт
Регистровая памятьНет
ECC-памятьНет
Тактовая частота1600 МГц
Профили Intel XMPНет
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Activate to Precharge Delay (tRAS)30
Наличие радиатораНет
Подсветка элементов платыНет
Высота30 мм
Низкопрофильная (Low Profile)Нет
Напряжение питания1.5 В
CAS Latency (CL)Время задержки при доступе к данным в памяти
RAS to CAS Delay (tRCD)Время между активизацией строки и колонны памяти
Row Precharge Delay (tRP)Время подготовки ячейки памяти к следующему доступу
Activate to Precharge Delay (tRAS)Минимальное время между активацией строки и завершением операции

Высокая скорость работы и надежность, компактный размер для легкой установки, хорошая совместимость с большинством систем

Отсутствие радиатора и подсветки, не подходит для серверных систем или систем requiring ECC, одна планка в комплекте