MOSFET IRF1010EZPBF N-канальный 60В 75А 140Вт корпус TO-220AB

101.44
Цена на 22.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 22.05.2026
101.44

Транзистор полевой MOSFET IRF1010EZPBF является высокоэффективным компонентом для электронных устройств и схем. Он предназначен для работы при напряжении до 60В и токе до 75А, что делает его подходящим для различных силовых приложений. Этот N-канальный транзистор обеспечивает низкое сопротивление открытия канала, что способствует снижению тепловых потерь и повышению эффективности работы системы. Кроме того, значительная мощность в 140Вт позволяет использовать его в demanding схемах, где требуется стабильность и надежность. Благодаря корпусу TO-220AB и типу монтажа Through Hole, транзистор легко устанавливать на плату. Характеристики, такие как пороговое напряжение включения и входная емкость, позволяют точно управлять его работой, делая его универсальным решением для силовых преобразователей, драйверов и других приложений. Надежность и качество производства Infineon Technologies гарантируют долговечность и стабильную работу изделия.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
203526
Производитель
Infineon Technologies
Корпус
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.
60В
Ток стока макс.
75A
Сопротивление открытого канала
8.5 мОм
Мощность макс.
140Вт
MOSFET
Полевой транзистор с металлооксидным полупроводниковым затвором
Корпус TO-220AB
Металлический корпус для монтажа на плату, обеспечивает хорошее теплоотведение
Пороговое напряжение включения
Напряжение, при котором транзистор открывается для прохождения тока
Заряд затвора
Количество электричества, необходимое для открытия транзистора
Высокая надежность, низкое сопротивление, простота монтажа, подходит для demanding силовых схем
Требует соблюдения правил радиации тепла, возможна сложность в управлении при высокой емкости затвора
Маркировка IRF1010EZPBF обозначает модель N-канального MOSFET производства Infineon Technologies с характеристиками 60В и 75А, предназначенного для силовых приложений.
Да, IRF1010EZPBF подходит для высокомощных схем, включая драйверы трансформаторов, благодаря высокой мощности и низкому сопротивлению канала.
Транзистор рекомендуется монтировать в корпусе TO-220AB с помощью типа монтажа Through Hole, обеспечивающего хорошее теплоотведение и стабильность.
Входная емкость — это электрическая емкость между затвором и остальными электродами, она влияет на быстродействие и управление транзистором. Для IRF1010EZPBF она составляет 2810пФ.
Основные преимущества — высокая надежность, низкое сопротивление открытого канала, простота монтажа и высокая мощность нагрузки.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.