AMD R534G1601U1S-UO Оперативная память DDR3 4 ГБ 1600 МГц UDIMM

Артикул магазина:

R534G1601U1S-UO

Источник изображений товара: XCOM-SHOP.RU. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

Артикул магазина:

R534G1601U1S-UO

1 421 ₽

Цена на 07.04.2026

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:XCOM-SHOP.RU

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 07.04.2026

1 421 ₽

Модуль памяти AMD R534G1601U1S-UO - высокопроизводительный DDR3-1600 МГц модуль с объемом 4 ГБ. Этот оперативный модуль предназначен для повышения скорости работы компьютеров и ноутбуков, дает стабильную работу и совместимость с большинством систем. Благодаря низкому энергопотреблению и простоте установки, данный модуль идеально подойдет как для обновления существующих систем, так и для сборки новых ПК. Особенности этого модуля памяти включают отсутствие низкопрофильного форм-фактора и радиатора, что делает его удобным для установки в ограниченных пространствах. Он обладает стандартными задержками CAS Latency 11 и тремя основными таймингами (tRAS, tRCD, tRP), что дает надежную работу и быструю передачу данных. Поддержка архитектуры DDR3 и форм-фактора UDIMM позволяют использовать его в большинстве настольных компьютеров и серверных систем.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

НизкопрофильнаяНет

РадиаторНет

Напряжение питания1.5 В

Объем одного модуля4 ГБ

Activate to Precharge Delay (tRAS)28

RAS to CAS Delay (tRCD)11

Row Precharge Delay (tRP)11

Тип памяти DDRDDR3

Форм-факторUDIMM

Количество модулей в комплекте1

Частота памяти1600 МГц

CAS Latency (CL)11

Объём памяти комплекта4 ГБ

Пропускная способность12800 МБ/сек

Низкопрофильная (Low Profile)Тонкий дизайн модуля памяти для установки в ограниченные пространства

РадиаторОхлаждающее устройство для предотвращения перегрева

Напряжение питанияЭлектрическое напряжение, необходимое для работы модуля

Объем одного модуляОбщий объем памяти в одном модуле

Activate to Precharge Delay (tRAS)Задержка активации и предварительной зарядки строк памяти

RAS to CAS Delay (tRCD)Задержка между командами RAS и CAS

Row Precharge Delay (tRP)Задержка перед активацией следующей строки памяти

Тип памяти DDRТип динамической памяти с двойной скоростью передачи данных

Форм-факторФорм-фактор модуля DDR памяти

CAS Latency (CL)Количество тактов задержки между командой чтения и началом передачи данных

Высокая производительность, совместимость с большинством систем, простота установки

Отсутствие радиатора может привести к нагреву в чрезмерных нагрузках

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.

AMD R534G1601U1S-UO Оперативная память DDR3 4 ГБ 1600 МГц UDIMM

Планируете оптовую закупку?

Похожие товары

Модуль памяти DDR3 4 ГБ 1333 МГц SODIMM AMD R334G1339S1S-UO

Модуль памяти AMD DDR3 SODIMM 4 ГБ 1333 МГц R334G1339S1S-U

Чип AMD 215-0674028 - микросхема высокой производительности

Оперативная память AMD DDR3L 4Gb 1600MHz SO-DIMM для ноутбуков

Оперативная память AMD DDR4 SO-DIMM 4Гб 2666МГц Radeon R7 Performance Series

Оперативная память AMD DDR3L 4Gb 1600MHz R534G1601U1SL-U

Модуль памяти AMD R534G1601S1S-U 4 ГБ DDR3 1600 МГц