AMD R534G1601U1S-UO Оперативная память DDR3 4 ГБ 1600 МГц UDIMM

Артикул магазина:
R534G1601U1S-UO
Артикул магазина:
R534G1601U1S-UO
1 380
Цена на 13.02.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:XCOM-SHOP.RU
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 13.02.2026
1 380

Модуль памяти AMD R534G1601U1S-UO - высокопроизводительный DDR3-1600 МГц модуль с объемом 4 ГБ. Этот оперативный модуль предназначен для повышения скорости работы компьютеров и ноутбуков, дает стабильную работу и совместимость с большинством систем. Благодаря низкому энергопотреблению и простоте установки, данный модуль идеально подойдет как для обновления существующих систем, так и для сборки новых ПК. Особенности этого модуля памяти включают отсутствие низкопрофильного форм-фактора и радиатора, что делает его удобным для установки в ограниченных пространствах. Он обладает стандартными задержками CAS Latency 11 и тремя основными таймингами (tRAS, tRCD, tRP), что дает надежную работу и быструю передачу данных. Поддержка архитектуры DDR3 и форм-фактора UDIMM позволяют использовать его в большинстве настольных компьютеров и серверных систем.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

НизкопрофильнаяНет
РадиаторНет
Напряжение питания1.5 В
Объем одного модуля4 ГБ
Activate to Precharge Delay (tRAS)28
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Тип памяти DDRDDR3
Форм-факторUDIMM
Количество модулей в комплекте1
Частота памяти1600 МГц
CAS Latency (CL)11
Объём памяти комплекта4 ГБ
Пропускная способность12800 МБ/сек
Низкопрофильная (Low Profile)Тонкий дизайн модуля памяти для установки в ограниченные пространства
РадиаторОхлаждающее устройство для предотвращения перегрева
Напряжение питанияЭлектрическое напряжение, необходимое для работы модуля
Объем одного модуляОбщий объем памяти в одном модуле
Activate to Precharge Delay (tRAS)Задержка активации и предварительной зарядки строк памяти
RAS to CAS Delay (tRCD)Задержка между командами RAS и CAS
Row Precharge Delay (tRP)Задержка перед активацией следующей строки памяти
Тип памяти DDRТип динамической памяти с двойной скоростью передачи данных
Форм-факторФорм-фактор модуля DDR памяти
CAS Latency (CL)Количество тактов задержки между командой чтения и началом передачи данных

Высокая производительность, совместимость с большинством систем, простота установки

Отсутствие радиатора может привести к нагреву в чрезмерных нагрузках

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.

Сравнение товаров

Объем одного модуля
32 ГБ4 ГБ32 ГБ4 ГБ
Тип памяти
DDR4DDR4DDR5
Форм-фактор
SODIMMUDIMMSODIMMUDIMM
Частота памяти
2666 МГц2666 МГц5600 МГц1600 МГц
Напряжение питания
1.2 В1.2 В1.1 В1.5 В