FDN306P

Артикул магазина:

145802

Источник изображений товара: Промэлектроника

Артикул магазина:

145802

11.58 ₽

Цена на 04.11.2025

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 04.11.2025

11.58 ₽

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD Корпус TO236

НаименованиеFDN306P

ПроизводительON Semiconductor

Описание EngMOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SuperSOT T/R

Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)

Нормоупаковка3000 шт

КорпусSOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.12В

Ток стока макс.2.6A

Сопротивление открытого канала40 мОм

Мощность макс.460мВт

Тип транзистораP-канал

ОсобенностиLogic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.1.5В

Заряд затвора17нКл

Входная емкость1138пФ

Тип монтажаSurface Mount

Вес брутто0.04 г.

СтруктураP-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В-12

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-2.6

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.04 ом при-2.6a, -4.5в

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5

Крутизна характеристики, S10

Пороговое напряжение на затворе-0.4…-1.5

Вес, г0.041