FDN306P

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

12.31 ₽

Цена на 29.04.2026

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 29.04.2026

12.31 ₽

MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD Корпус TO236

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 145802
Наименование: FDN306P
Производитель: ON Semiconductor
Описание Eng: MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SuperSOT T/R
Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка: 3000 шт
Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.: 12В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 460мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 1138пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Вес брутто: 0.04 г.
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 ом при-2.6a, -4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Крутизна характеристики, S: 10
Пороговое напряжение на затворе: -0.4…-1.5
Вес, г: 0.041

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.