SI2319CDS-T1-GE3

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

20.89 ₽

Цена на 21.05.2026

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 21.05.2026

20.89 ₽

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 232203
Наименование: SI2319CDS-T1-GE3
Производитель: Vishay
Описание Eng: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка: 3000 шт
Корпус: SOT-23
Напряжение сток-исток макс.: 40В
Ток стока макс.: 4.4A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Вес брутто: 0.04 г.
Maximum Operating Temperature: +150 °C
Number of Elements per Chip: 1
Length: 3.04mm
Transistor Configuration: Single
Brand: Vishay
Maximum Continuous Drain Current: 4.4 A
Package Type: SOT-23
Maximum Power Dissipation: 2.5 W
Mounting Type: Surface Mount
Minimum Operating Temperature: -55 °C
Width: 1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage: 1.2V
Height: 1.02mm
Maximum Drain Source Resistance: 108 mΩ
Maximum Drain Source Voltage: 40 V
Pin Count: 3
Typical Gate Charge @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Transistor Material: Si
Channel Mode: Enhancement
Channel Type: P
Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
Вес, г: 0.05

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.