Poisk.imПоиск по интернет-магазинам

512 ГБ M.2 NVMe SSD HIKVision E1000 высокоскоростной накопитель

Артикул магазина:
5363181
Артикул магазина:
5363181
3░░░
Цена на 30.10.2025
История цены
Бренд:
Модель:
Источник изображений товара:DNS (ДНС)
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 30.10.2025
3░░░
История цены

512 ГБ M. 2 NVMe накопитель HIKVision E1000 - это высокопроизводительный SSD, предназначенный для установки в стационарные компьютеры домашнего и офисного назначения. Модель соответствует популярному форм-фактору 2280 и обладает размерами 80x22 мм, что делает её совместимой с большинством современных устройств. Накопитель использует интерфейс PCI-E 3. 0 x4, обеспечивая быструю передачу данных и минимальные задержки при работе с операционными системами и программным обеспечением. Главные преимущества данной модели - высокая скорость чтения до 2000 МБ/с и записи до 1610 МБ/с, что позволяет быстро запускать программы, переносить большие файлы и ускоряет рабочие процессы. Энергоэффективность накопителя - потребляемая мощность не превышает 3. 9 Вт, а наличие контроллера Silicon Motion SM2263XT с поддержкой технологии коррекции ошибок NANDXtend дает надежность и долговечность устройства. Максимальный ресурс записи 320 ТБ делает его подходящим для интенсивных задач и долгосрочной эксплуатации. Накопитель не оснащен радиатором, но не подвержен перегреву, что гарантирует стабильную работу даже при длительных нагрузках.

Объем накопителя512 ГБ
Форм-фактор2280
ИнтерфейсPCIe 3.0 x4
Разъем M.2M
Тип памяти3D NAND
КонтроллерSilicon Motion SM2263XT
ТехнологияTLC
Максимальная скорость чтения2000 МБ/с
Максимальная скорость записи1610 МБ/с
Ресурс записи TBW320 ТБ
Радиатор в комплектеНет
Потребляемая мощность3.9 Вт
Длина80 мм
Ширина22 мм
Вес8 г
NVMeИнтерфейс для быстрых SSD накопителей, обеспечивающий низкую задержку и высокую скорость передачи данных
КонтроллерМикросхема, управляющая работой SSD и обработкой данных
TLCТриfold-level cell, тип памяти с тремя уровнями хранения информации в ячейке
3D NANDТехнология трехмерной вертикальной укладки памяти, повышающая емкость и надежность

Высокая скорость чтения и записи, надежность благодаря контроллеру и памяти, низкое энергопотребление, подходит для интенсивных задач

Отсутствие радиатора, необходимого для снижения температуры при длительной нагрузке, ограниченный объем в 512 ГБ