Poisk.imПоиск по интернет-магазинам

MOSFET транзистор N-канальный SPP20N65C3XKSA1 650В 20.7A

Артикул магазина:
239625
Артикул магазина:
239625
522.12
Цена на 25.10.2025
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:ПРОМЭЛЕКТРОНИКА
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 25.10.2025
522.12

Транзистор полевой MOSFET N-канальный модели SPP20N65C3XKSA1 представляет собой мощный компонент для электронных устройств. Он обеспечивает высокое напряжение сток-исток до 650В и ток стока 20.7А, что делает его подходящим для мощных ключевых цепей и источников питания. Благодаря корпусу PG-TO220-3-1 и типу монтажа Through Hole данный транзистор легко монтируется на плату, обеспечивая надежное соединение и эффективное охлаждение. Основные преимущества включают низкое сопротивление открытого канала 190 мОм и высокую мощность до 208 Вт. Такие характеристики позволяют использовать его в схемах, где требуется стабильная работа при больших нагрузках. Важно учитывать параметры порогового напряжения включения 3.9В и заряд затвора 114 нКл, что обеспечивает быстрое и стабильное управление транзистором. Этот элемент прекрасно подойдет для усилителей, преобразователей и других электронных устройств, требующих высокой надежности и параметров работы.

ПроизводительInfineon Technologies
КорпусPG-TO220-3-1
Напряжение сток-исток макс650В
Ток стока макс20.7А
Сопротивление открытого канала190 мОм
Мощность макс208Вт
Тип транзистораN-канал
Пороговое напряжение включения макс3.9В
Заряд затвора114нКл
Входная емкость2400пФ
Тип монтажаThrough Hole
БрендInfineon Technologies
МодельУникальный идентификатор транзистора
N-канальныйТип транзистора, проводит ток при положительном напряжении на затворе
КорпусФизическая оболочка и монтажный тип компонента
Пороговое напряжение включенияМинимальное напряжение на затворе, необходимость для начала проводимости
Заряд затвораКоличество электричества, необходимое для открытия транзистора
Сопротивление открытого каналаСопротивление при полностью открытом транзисторе
Мощность максМаксимально допустимая тепловая мощность

Высокая мощность и напряжение, надежность, простота монтажа, низкое сопротивление

Может требовать аккуратного управления зарядом затвора, специфические параметры для мощных схем