Биполярный транзистор IGBT FP25R12W2T4BOMA1 1200В 25А 175Вт
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT FP25R12W2T4BOMA1 - это высокопроизводительный полупроводниковый компонент, предназначенный для использования в силовых электронных устройствах. Этот транзистор обладает напряжением коллектор-эмиттер 1200В и током коллектора 25А, что позволяет ему работать с высокой мощностью и обеспечивать надежность в тяжелых условиях эксплуатации. Он идеально подходит для инверторов, преобразователей и других силовых систем, требующих высокой эффективности и безопасности. Корпус EasyPIMTM 2B дает удобство монтажа и хорошую рассеяцию тепла, что увеличивает срок службы устройства и снижает риск перегрева. Благодаря своим техническим характеристикам и качеству производства от Infineon Technologies этот транзистор дает стабильную работу и долговечность. Подходит как для профессиональных инженеров, так и для любителей радиотехники, ищущих надежный и мощный компонент. Множество преимуществ включают высокое рабочее напряжение и ток, простоту интеграции в различные схемы и устойчивость к перегрузкам. Выбирая этот транзистор, вы получаете надежную составляющую для ваших электронных проектных решений, обеспечивающую высокую эффективность и стабильную работу устройств.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Высокое рабочее напряжение и ток, надежность от известного производителя, удобный корпус для монтажа
Цена может быть выше по сравнению с менее мощными аналогами