POISK.IMПоиск по интернет-магазинам
Подключить магазин
Категории:

Драйвер MOSFET MC34152DG двуконтактный высокая скорость 6.1V-18V

Превью изображения товара
Превью изображения товара
Изображение товара Драйвер MOSFET MC34152DG двуконтактный высокая скорость 6.1V-18V

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

72.34 ₽
Цена на 22.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 22.05.2026
72.34 ₽

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

MC34152DG - это двухканальный драйвер MOSFET с высоким быстродействием, специально разработанный для управления мощными нагрузками с высоким уровнем переключения. Он отлично подходит для цифровых схем с низким током, обеспечивая надежное управление мощными MOSFET транзисторами, что способствует повышению эффективности систем. Благодаря низкому входному току и входной гистерезису, устройство дает быстрое переключение независимо от времени перехода входного сигнала. Модуль оснащен двумя высоким током выходами и функцией защиты от понижения напряжения, что дает стабильную работу в широком диапазоне напряжения питания от 6. 1 до 18 В. Этот драйвер идеально применяется в системах автоматизации, силовой электронике и управлении питанием, обеспечивая высокую надежность и долговечность работы техники. Устройство легкое в интеграции благодаря совместимости с логикой CMOS/LSTTL и компактной упаковке в корпусе SO-8. Высокая скорость переключения, низкое потребление энергии и встроенные защитные функции делают его незаменимым компонентом для обеспечения эффективности и стабильности вашего электронного оборудования.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
143063
Наименование
MC34152DG
Производитель
ON Semiconductor
Описание Eng
2xMOSFET-Dr. HS 18V 1,5A
Тип упаковки
Tube (туба)
Нормоупаковка
98 шт
Корпус
SO-8
МСФЕТ
Получающий своё название из полевых транзисторов с изолированным затвором
Гистерезис
Разница напряжений, при которой происходит переключение входных сигналов, предотвращая случайные срабатывания
Независимый канал
Канал, управляемый отдельно от другого, что увеличивает универсальность устройства
Высокая скорость переключения, низкое энергопотребление, встроенная защита от понижения напряжения, совместимость с логикой CMOS/LSTTL, компактный корпус SO-8
Может требовать аккуратной пайки из-за мелкой упаковки и чувствительности к статике, ограничение по температурному диапазону для некоторых применений
Рабочее напряжение питания составляет от 6.1 до 18 В, что позволяет использовать его в различных системах автоматизации и силовой электронике.
Да, устройство предназначено для управления мощными MOSFET транзисторами и обеспечивает вывод высокой мощности с высокой скоростью переключения.
Модуль включает функцию защиты от понижения напряжения питания (under-voltage lockout), что предотвращает неправильную работу при низком напряжении питания.
Гистерезис — это разница в напряжении, при которой происходит переключение сигнала, что помогает снизить ложные срабатывания и обеспечить стабильность работы.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.