Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1200В Infineon

61 973
Цена на 29.04.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 29.04.2026
61 973

Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В предназначен для эффективного управления электроэнергией в различных приложениях. Данный модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным решением для использования в индустриальных системах и энергетике. Благодаря своему современному дизайну и высоким характеристикам данный компонент способен работать при высоких напряжениях, что значительно увеличивает его область применения. Устройство имеет корпус типа Module, что упрощает монтаж и интеграцию в существующие системы.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
539539
Бренд
Infineon Technologies
Корпус
Module
Напряжение
1200В
Тип
N-канальный
Количество
Сдвоенный
SiC
Кремний карбид, материал для полупроводников
MOSFET
Металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, используемый для электрических переключений
N-канальный
Тип MOSFET, где носители заряда - электроны
Высокая производительность и эффективность, возможность работы при высоких напряжениях, надежность в различных условиях эксплуатации.
Отсутствие информации о цене на другие страны, ограниченные характеристики по сравнению с аналогами.
Модуль используется для управления электроэнергией в индустриальных системах и энергетике.
Модуль имеет корпус типа Module, что облегчает его интеграцию в системы.
SiC MOSFET обеспечивает высокую эффективность и надежность при работе с высокими напряжениями.
Да, модуль рассчитан на работу с напряжением до 1200В.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.