Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1200В Infineon

Артикул магазина:
539539
Артикул магазина:
539539
63 350
Цена на 22.01.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Логотип магазина ПромэлектроникаКупить в Промэлектроника
Цена на 22.01.2026
63 350

Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В предназначен для эффективного управления электроэнергией в различных приложениях. Данный модуль обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным решением для использования в индустриальных системах и энергетике. Благодаря своему современному дизайну и высоким характеристикам данный компонент способен работать при высоких напряжениях, что значительно увеличивает его область применения. Устройство имеет корпус типа Module, что упрощает монтаж и интеграцию в существующие системы.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

БрендInfineon Technologies
КорпусModule
Напряжение1200В
ТипN-канальный
КоличествоСдвоенный
SiCКремний карбид, материал для полупроводников
MOSFETМеталл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, используемый для электрических переключений
N-канальныйТип MOSFET, где носители заряда - электроны

Высокая производительность и эффективность, возможность работы при высоких напряжениях, надежность в различных условиях эксплуатации.

Отсутствие информации о цене на другие страны, ограниченные характеристики по сравнению с аналогами.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.