MOSFET N-канальный 800В 17A Infineon SPW17N80C3FKSA1

198.03
Цена на 27.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 27.05.2026
198.03

Полевой MOSFET транзистор модели SPW17N80C3FKSA1 от Infineon Technologies - это надежное решение для высоковольтных и высокопроизводительных электронных устройств. Этот N-канальный транзистор обладает максимальным напряжением сток-исток до 800В и током до 17А, что делает его универсальным компонентом для различных схем управления мощностью. Благодаря корпусу PG-TO-247-3 и типу монтажа Through Hole легко интегрируется в различные электронные проекты. Транзистор характеризуется низким сопротивлением открытого канала, высокой мощности и долговечностью, что дает стабильную работу и эффективность ваших устройств. Использование данного MOSFET позволяет повысить КПД системы, снизить тепловыделение и обеспечить надежное переключение. Он идеально подходит для применения в импульсных источниках питания, преобразователях и устройствах управления мощностью. Надежный производитель и качественные материалы гарантируют длительный срок службы и безопасность в эксплуатации. Этот транзистор - отличный выбор для инженеров и любителей электроники, стремящихся к высоким результатам и надежности своих проектов.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
239643
Производитель
Infineon Technologies
Корпус
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.
800В
Ток стока макс.
17A
Сопротивление открытого канала
290 мОм
Мощность макс.
208Вт
МОСФЕТ
Полевой транзистор с металлическим оксидным затвором
Пороговое напряжение включения
Напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток
Заряд затвора
Количество электричества, необходимое для открытия транзистора
Высокое напряжение и токовая нагрузка, надежность производителя, низкое сопротивление открытого канала
Может требовать радиатора для тепловыделения при высокой мощности
Этот полевой MOSFET отлично подходит для импульсных источников питания, преобразователей, силовых схем и других устройств, требующих высокой напряженности и надежности.
Да, однако его параметры рассчитаны на высокое напряжение до 800В. Для низковольтных схем есть более подходящие модели.
При работе на максимальной мощности рекомендуется устанавливать радиатор для отвода тепла и предотвращения перегрева.
Это сопротивление транзистора в состоянии полностью открытого канала, чем оно ниже, тем лучше его проводимость и эффективность.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.