Транзистор MOSFET P-канальный ON Semiconductor FDD6637 35В 55А

Артикул магазина:
148393
Артикул магазина:
148393
4░░░
Цена на 17.01.2026
История цены
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 17.01.2026
4░░░
История цены

Транзистор FDD6637 представляет собой P-канальный MOSFET с максимальным напряжением сток-исток 35 В и максимальным током до 55 А, что делает его идеальным решением для использования в автомобилестроении и других высоконагруженных электронных системах. Высокая надежность и низкое сопротивление канала в открытом состоянии обеспечивают эффективное управление мощностью и минимальные потери энергии. Корпус DPAK/TO-252AA обеспечивает удобство монтажа и хорошее тепловыделение. Изделие от производителя ON Semiconductor отличается стабильностью характеристик и соответствует строгим стандартам качества и безопасности. Этот транзистор широко применяется в автомобильных устройствах, где требуется надежная работа при высоких токах и напряжениях. Упаковка Tape and Reel облегчает автоматизированную сборку, а нормоупаковка 2500 штук подходит как для крупносерийного производства, так и для сервисного обслуживания. Благодаря массово-габаритным характеристикам вес всего 0.4 грамма, что упрощает интеграцию в компактные электроцепи. Ключевые преимущества модели FDD6637: высокая мощность рассеиваемая 3.1 Вт, максимальная рассеиваемая мощность 57 Вт при отличной теплоотдаче, а также низкое сопротивление Rds(on) всего 0.0116 Ом. Эти параметры обеспечивают надежность работы и значительно снижают тепловые потери, что крайне важно для устойчивости и долговечности автомобильной электроники.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

БрендON Semiconductor
НаименованиеFDD6637
Тип транзистораP-канальный
Максимальное напряжение сток-исток35В
Максимальный ток стока55А
Максимальная мощность рассеиваемая3.1 Вт
КорпусDPAK/TO-252AA
Вес0.4 г
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка2500 шт
Максимальное напряжение затвор-исток±25В
Сопротивление канала в открытом состоянии0.0116 Ом при -14А, -10В
СтруктураP-канал
Максимальная рассеиваемая мощность57 Вт
Крутизна характеристики35
P-канальный MOSFETПолевой транзистор с каналом p-типа, управляемый напряжением на затворе
Rds(on)Сопротивление канала транзистора в открытом состоянии, влияет на потери мощности
Tape and ReelТип упаковки для автоматизированной сборки, лента с катушкой
Крутизна характеристикиПоказатель быстроты изменения тока стока при изменении напряжения затвора

Высокая максимальная сила тока и напряжения, низкое сопротивление канала, удобная упаковка для массового производства, надежность и качество подтверждены производителем

Отсутствие данных о стране производства, высокая рассеиваемая мощность может потребовать дополнительного охлаждения