BSM75GB120DN2 Биполярный транзистор IGBT 625Вт 1200В 105А Infineon


Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор IGBT модели BSM75GB120DN2 от производителя Infineon Technologies - это надежный мощный компонент для различных промышленных и силовых схем. Он рассчитан на максимальную мощность 625 ватт и дает стабильную работу при напряжении коллектор-эмиттер до 1200 В и токе коллектора до 105 А. Такой транзистор идеально подходит для использования в инверторах, электроприводах и силовых преобразователях, где важна высокая эффективность и надежность. Корпус AG-34MM дает хорошее тепловыведение, что способствует долговечному и безопасному функционированию устройства. Благодаря качественной сборке и характеристикам, данный IGBT дает низкие потери энергии и быструю коммутацию, что повышает общую производительность и позволяет оптимизировать работу силовых цепей. Этот транзистор - отличный выбор для профессиональных проектов, требующих высокой мощности и надежности.
- Артикул магазина
- 184838
- Производитель
- Infineon Technologies
- Корпус
- AG-34MM
- Напряжение коллектор-эмиттер
- 1200 В
- Ток коллектора
- 105 А
- Максимальная мощность
- 625 Вт
- IGBT
- Биполярный транзистор с изолированным затвором, сочетающий свойства транзисторов и диодов
- Корпус AG-34MM
- Тип корпуса, обеспечивающий хорошее тепловыведение и механическую защиту