Биполярный транзистор IGBT SGT50T65FD1PN 650В 50А в корпусе TO-3P
Источник изображений товара: Промэлектроника
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Биполярный транзистор с изолированным затвором типа IGBT модель SGT50T65FD1PN от производителя Silan Microelectronics - это надежное решение для высоковольтных приложений. Он способен коммутировать напряжение до 650В и пропускать ток до 50А, обеспечивая эффективность и долгий срок службы в различных электронных схемах. Этот транзистор отличается высокой мощностью в 235Вт, что делает его подходящим для применения в промышленной автоматике, силовых преобразователях и инверторах. Благодаря корпусу TO-3P и удобной упаковке в тубах по 30 штук, монтаж и установка осуществляются быстро и удобно. Высокая проницаемость и стабильность работы позволяют использовать его в условиях повышенных нагрузок и температур. Это устройство сочетает в себе надежность, компактность и отличные технические характеристики - идеальный выбор для профессиональных и любительских проектов в сфере силовой электроники.
Высокое напряжение и ток, надежность, легкость монтажа, наличие большой упаковки для промышленного использования
Зависимость от правильного теплоотвода, требует аккуратного монтажа