Poisk.imПоиск по интернет-магазинам

Мощный N-канальный транзистор FQPF8N80C 800V 8A для энергетических систем

Артикул магазина:
148818
Артикул магазина:
148818
122.46
Цена на 06.11.2025
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 06.11.2025
122.46

Мощный MOSFET FQPF8N80C от ON Semiconductor - это высокоэффективный N-канальный транзистор, предназначенный для использования в switched mode power supplies, активной коррекции фактора и электронных диммерных балластах. Благодаря технологические достижения и низкому сопротивлению открытого канала, этот транзистор дает стабильную работу при высоких напряжениях и нагрузках. Его использование позволяет снизить потери энергии, увеличить надежность и улучшить показатели переключения, что особенно важно для современных электронных систем. Модель FQPF8N80C отличается высоким допустимым напряжением сток-исток до 800 В и током до 8 А. Корпус TO-220F дает удобство монтажа, а высокая тепловая стойкость до +150 °C позволяет применять устройство в жестких условиях эксплуатации. Этот MOSFET идеально подходит для тех, кто ищет надежное решение для энергосберегающих устройств с высокой мощностью и эффективностью. Благодаря специальной технологии производства и тестированию на 100% лавинных режимов, устройство дает повышенную надежность и долговечность.

НаименованиеFQPF8N80C
ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеN-МОС+D 800V, 8A, 59W
Тип упаковкиTube
Нормоупаковка50 шт
КорпусTO-220F
Напряжение сток-исток макс800В
Ток стока макс8A
Сопротивление открытого канала1.55 Ом
Мощность макс59Вт
Тип транзистораN-канал
Пороговое напряжение включения макс
Заряд затвора45нКл
Входная емкость2050пФ
Тип монтажаThrough Hole
Вес брутто2.9 г
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока8 A
Тип корпусаTO-220F
Максимальное рассеяние мощности59 Вт
Ширина4.7 мм
Высота9.19 мм
Размеры10.16 x 4.7 x 9.19 мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина10.16 мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения40 нс
Типичное время задержки выключения65 нс
СерияQFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Максимальное сопротивление сток-исток1.55 Ом
Максимальное напряжение сток-исток800 В
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs35 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1580 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Вес2
QFETТип мощных полевых транзисторов с высокими характеристиками эффективности
AvalancheРежим лавинной пробивки транзистора для проверки надежности
Пороговое напряжениеНапряжение для включения транзистора
Заряд затвораКоличество электричества для раскрытия транзистора
Входная емкостьЕмкость входных терминалов транзистора
Корпус TO-220FТип металлического корпуса для монтажа в радиатор
Потенциальные напряженияМаксимальные допустимые напряжения между затвором и истоком/стоком

Высокая прочность к нагрузкам, низкие потери энергии, подходит для широкого спектра применений

Требует правильного монтажа и теплоотвода для обеспечения долговечности