Категории:

Мощный N-канальный транзистор FQPF8N80C 800V 8A для энергетических систем

124.45
Цена на 24.05.2026
Бренд:
Производитель:
Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 24.05.2026
124.45

Мощный MOSFET FQPF8N80C от ON Semiconductor - это высокоэффективный N-канальный транзистор, предназначенный для использования в switched mode power supplies, активной коррекции фактора и электронных диммерных балластах. Благодаря технологические достижения и низкому сопротивлению открытого канала, этот транзистор дает стабильную работу при высоких напряжениях и нагрузках. Его использование позволяет снизить потери энергии, увеличить надежность и улучшить показатели переключения, что особенно важно для современных электронных систем. Модель FQPF8N80C отличается высоким допустимым напряжением сток-исток до 800 В и током до 8 А. Корпус TO-220F дает удобство монтажа, а высокая тепловая стойкость до +150 °C позволяет применять устройство в жестких условиях эксплуатации. Этот MOSFET идеально подходит для тех, кто ищет надежное решение для энергосберегающих устройств с высокой мощностью и эффективностью. Благодаря специальной технологии производства и тестированию на 100% лавинных режимов, устройство дает повышенную надежность и долговечность.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
Артикул магазина
148818
Наименование
FQPF8N80C
Производитель
ON Semiconductor
Описание
N-МОС+D 800V, 8A, 59W
Тип упаковки
Tube
Нормоупаковка
50 шт
Корпус
TO-220F
QFET
Тип мощных полевых транзисторов с высокими характеристиками эффективности
Avalanche
Режим лавинной пробивки транзистора для проверки надежности
Пороговое напряжение
Напряжение для включения транзистора
Заряд затвора
Количество электричества для раскрытия транзистора
Входная емкость
Емкость входных терминалов транзистора
Высокая прочность к нагрузкам, низкие потери энергии, подходит для широкого спектра применений
Требует правильного монтажа и теплоотвода для обеспечения долговечности
Этот мощный N-канальный MOSFET отлично подходит для switched mode power supplies, активной коррекции и электронных балластов, требующих высокой эффективности и надежности.
Рекомендуется использовать корпус TO-220F с подходящим радиатором для обеспечения равномерного теплоотвода и предотвращения перегрева при работе в высоких нагрузках.
Обратите внимание на максимальное напряжение сток-исток (800 В), ток (8 А), сопротивление открытого канала и мощность, чтобы обеспечить стабильную работу в вашей схеме.
Да, благодаря низкому времени задержки и высокой лавинной проверке, этот транзистор подходит для импульсных и высокоскоростных схем.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.