IGBT транзистор Infineon IKW15N120H3FKSA1 1200В 30А

Изображение товара IGBT транзистор Infineon IKW15N120H3FKSA1 1200В 30А

Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого

249.8 ₽

Цена на 21.05.2026

Бренд:
Производитель:
Модель:

Источник изображений товара:Промэлектроника

Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика

Цена на 21.05.2026

249.8 ₽

Сварочный аппарат инвертор MMA-260, портативный, 260A, IGBT-транзистор

3 035 ₽

Цена на 28.04.2026

Яндекс.Маркет

Инверторный сварочный аппарат MMA-250LCD, IGBT-транзистор, ручная дуговая сварка, 250A

6 192 ₽

Цена на 20.05.2026

Яндекс.Маркет

Реклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.

IGBT транзисторы Infineon TrenchStop предназначены для работы с коллектор-эмиттерным напряжением от 1100 до 1600 В. Эти устройства отличаются высокой надежностью и эффективностью благодаря технологии TrenchStop™, а также имеют встроенный быстродействующий диод. Они отлично подходят для использования в различных промышленных приложениях благодаря своим характеристикам, включая максимальный ток коллектора до 30 А и максимальную рассеиваемую мощность до 217 Вт. Устройство может работать в температурном диапазоне от -40 до +175°C, что делает его универсальным решением для сложных условий эксплуатации.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Артикул магазина: 154487
Наименование: IKW15N120H3FKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Тип упаковки: Tube (туба)
Нормоупаковка: 30 шт
Корпус: PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Макс. ток коллектора: 30 А
Импульсный ток коллектора макс.: 60 А
Макс. рассеиваемая мощность: 217 Вт
Переключаемая энергия: 1.55 мДж
Вес брутто: 8.37 г.
Технология/семейство: Trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Вес, г: 7.5

TrenchStop: Технология IGBT транзисторов, обеспечивающая высокую эффективность и малые потери энергии

Высокая надежность, эффективная работа в широком температурном диапазоне, встроенный диод.

Не подходит для приложений, требующих более высоких токов и напряжений.

Максимальная рабочая температура составляет от -40 до +175°C.

Да, транзистор имеет встроенный высокоскоростной диод.

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 217 Вт.

Ключевые характеристики включают максимальное напряжение 1200 В и максимальный ток коллектора 30 А.

Транзистор поставляется в упаковке Tube (туба) по 30 штук.

Планируете оптовую закупку?

Направьте заявку на почту b2b@poisk.im. Мы сами найдём необходимые товары, узнаем, где их купить, и попросим проверенных продавцов связаться с вами и направить коммерческие предложения.