Рюкзак городской FRAM
2 535 ₽
Цена на 30.04.2026
Яндекс.МаркетКатегории:
FRAM память FM25L16B-DGTR 16Kбит 20МГц 8TDFN от Infineon Technologies
Источник изображений товара: Промэлектроника. Внешний вид товара может отличаться от изображённого
198.18 ₽
- Бренд:
- Производитель:
- Модель:
Источник изображений товара:Промэлектроника
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 26.05.2026
198.18 ₽
Яндекс.Маркет
Рюкзак городской FRAM
2 631 ₽
Цена на 12.04.2026
Яндекс.МаркетРеклама. ООО "ЯНДЕКС МАРКЕТ", ИНН: 9704254424. Правообладатель изображений: Яндекс.Маркет.
Сегнетоэлектрическая память FM25L16B-DGTR от Infineon Technologies - это высокоскоростная FRAM память объемом 16Kбит с частотой 20МГц, предназначенная для эффективных и быстрых операций записи и чтения данных. Благодаря использованию сегнетоэлектрической технологии, эта память обладает высокой надежностью, малым энергопотреблением и длительным ресурсом перезаписи. Идеально подходит для автоматизированных систем, устройств измерения, IoT-устройств и других приложений, требующих быстрой и долговременной хранения данных. Память выполнена в корпусе 8-TDFN (размер 4x4. 5 мм), что дает компактность и удобство монтажа. Поддержка интерфейса SPI Serial позволяет легко интегрировать данный модуль в различные электронные схемы. Основные преимущества - это высокий быстродействие, долговечность и низкое энергопотребление, что делает FM25L16B-DGTR оптимальным выбором для современных электронных устройств, требующих надежной памяти с быстрым доступом.
Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.
- Артикул магазина
- 302440
- Наименование
- FM25L16B-DGTR
- Производитель
- Infineon Technologies
- Описание Eng
- FRAM 16KBIT 20MHZ 8TDFN
- Тип упаковки
- Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка
- 3000 шт
- Корпус
- 8-TDFN (4x4.5)
- FRAM
- Сегнетоэлектрическая память, тип энергонезависимой оперативной памяти
- TDFN
- Корпус микросхемы со сквозными выводами, размеры 4x4.5 мм
- SPI
- Интерфейс последовательной передачи данных
Высокая надежность, быстрое чтение и запись, низкое энергопотребление, компактный корпус
Стоимость может быть выше по сравнению с обычной EEPROM, ограниченный объем памяти для крупных проектов
Сегнетоэлектрическая память (FRAM) использует сегнетоэлектрический эффект для хранения данных, что обеспечивает высокую скорость чтения и записи, низкое энергопотребление и долговечность по сравнению с обычной EEPROM или Flash-памятью.
Микросхема выполнена в корпусе 8-TDFN размером 4x4.5 мм, что обеспечивает компактность и хорошую тепловую проводимость.
Для подключения используется интерфейс SPI Serial, что обеспечивает простую интеграцию в большинство современных микроконтроллеров и устройств.
Рекомендуемое напряжение питания составляет от 2.7 В до 3.6 В, что подходит для большинства низковольтных систем.
Основное отличие в том, что сегнетоэлектрическая память обладает значительно более высокой скоростью записи, меньшим энергопотреблением и большим ресурсом перезаписи, что делает ее более надежной и долговечной.