Модуль памяти Kingston DDR3 8ГБ 1600 МГц KVR16LN11/8WP

Артикул магазина:
KVR16LN11/8WP
Артикул магазина:
KVR16LN11/8WP
5 804
Цена на 16.01.2026
Бренд:
Модель:
Источник изображений товара:XCOM-SHOP.RU
Перед покупкой обязательно проверьте характеристики товара у производителя или поставщика
Цена на 16.01.2026
5 804

Модуль памяти Kingston KVR16LN11/8WP является надежное решение для современных серверных и настольных систем. Он выполнен по стандарту DDR3 и обладает емкостью 8 ГБ, что дает достаточную производительность для большинства задач. Благодаря высокой частоте работы 1600 МГц и пропускной способности 12800 МБ/с, память способствует быстрому выполнению многозадачности и улучшает общую скорость работы системы. Этот модуль отличается простым форм-фактором DIMM и напряжением питания 1. 35 В, что дает его совместимость с широким спектром устройств. Отсутствие подсветки и радиатора позволяют использовать его в компактных и тихих системах. Kingston KVR16LN11/8WP - это оптимальный выбор для пользователей, требующих надежную память с высокими техническими характеристиками.

Информация о товаре может содержать неточности, перед покупкой проверяйте информацию на сайте производителя.

Объем одного модуля8 ГБ
Тип памятиDDR3
Форм-факторDIMM
Частота памяти1600 МГц
CAS Latency (CL)11
Напряжение питания1.35 В
Пропускная способность12800 МБ/с
Количество модулей в комплекте1
Подсветка элементов платыНет
РадиаторНет
Объем памяти комплекта8 ГБ
Activate to Precharge Delay (tRAS)35
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
CAS Latency (CL)Время задержки между командой и отправкой данных
Пропускная способностьМаксимальный объем данных, передаваемых за секунду
DDR3Третий стандарт DDR для оперативной памяти, обеспечивающий более низкое напряжение и высокую скорость

Высокая производительность и надежность, совместимость с современными системами, простая установка

Отсутствие радиатора и подсветки, не подходит для систем с низким напряжением

Сравнение товаров

Объём памяти комплекта
8 ГБ8 ГБ8 ГБ8 ГБ
Частота памяти
1600 МГц1600 МГц1600 МГц1333 МГц3200 МГц
CAS Latency (CL)
111111916
RAS to CAS Delay (tRCD)
1111918
Row Precharge Delay (tRP)
1111918